方正证券-赛晶科技-0580.HK-IGBT新起之秀-210730

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深耕电力电子器件制造。

赛晶科技传统业务为电力电子器件制造，主要应用于输配电、电气化交通、工业及其他领域。

输配电领域，公司阳极饱和电抗器已应用到国内40多个特高压直流项目中。

电气化交通领域，中国中车集团、比亚迪，是赛晶长期的合作伙伴。

工业及其他领域应用包括工业电解冶金、化工、采矿等行业的电能应用。

召集国际一流技术团队，布局IGBT应用。

公司2018年开始研发电动汽车用IGBT；2019年启动IGBT研发生产项目，并成立瑞士SwissSEM、浙江赛晶半导体公司；2020年公司发布首款自研产品1200V/250A的i20IGBT芯片和1200V/750A的ED-TypeIGBT模块，同时启动生产线建设。

公司IGBT应用主要面向电动汽车、新能源发电和工业电控市场，技术研发团队来自国际一流厂商ABB，管理团队也来自英飞凌等行业领先企业。

首款IGBT芯片Q4进入稳定量产，下一代车载IGBT模块发布。

今年6月份，公司IGBT产线正式竣工，i20芯片进入试生产阶段，预计今年Q4步入稳定量产阶段。

公司的i20芯片优于其他国际主流厂商的第4代芯片。

同时，公司继续发布下一代车载单面冷却IGBT模块EV-Type模块。

新模块包含两个1200V/250A芯片组，电流密度高，但尺寸仅为ED-Type模块的1/3。

聚焦IGBT背面工艺和封测，规划7条IGBT产线。

IGBT芯片制造环节分为正面工艺和背面工艺，正面工艺比较标准，主要为光刻；背面工艺为特色工艺，包括离子注入、退火和剪包，对IGBT芯片的性能具有决定性作用。

公司IGBT项目总投资52.5亿元，一期投资17.5亿元，规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能200万件IGBT模块产品，后期公司还将继续完善自己的芯片背面线。

新产品持续研发设计中，未来前景可期。

公司基于为沟槽技术的i21代IGBT芯片正在研发设计中，目标达到第七代IGBT的技术水平。

此外，公司碳化硅产品布局也正在启动中，第一步聚焦碳化硅模块，预计明年推出第一代产品；第二步更进一步到碳化硅芯片，规划3-4年后推出相关产品。

盈利预测：我们预计公司2021-2023年营业收入分别为11.5/13.5/15.6亿元，归母净利润分别为0.3/1.0/2.2亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级风险提示：（1）产品研发不及预期；（2）产品市场开拓不及预期；（3）产能紧缺影响出货；（4）估值假设和盈利预测的不可实现性。