【埃芯半导体】目前三大类产品:材料量测、关键尺寸测量、薄膜测量

（以下内容从中银证券《【埃芯半导体】目前三大类产品:材料量测、关键尺寸测量、薄膜测量》研报附件原文摘录）
　　目前埃芯半导体已自主研发了多种用于前道晶圆制造过程控制的量测产品与解决方案，包括薄膜测量设备、关键尺寸测量设备和材料量测设备等，并实现了多个技术突破，具体的产品主要包括： 一、薄膜测量设备 High Yield？ 系列 半导体光学薄膜量测设备 AE自主研发的High Yield？ 系列产品采用穆勒矩阵和反射式光谱混合技术，可以量测薄膜的厚度、光学常数（折射率n，消光系数k等）、能带宽度、缺陷等膜层参数，具备多层堆叠等复杂结构的量测能力。同时，此系统兼容8寸和12寸晶圆尺寸，适用于膜层开发，成分分析，能带分析，在线工艺管控及先进制程监控等复杂应用。 High Yield？ HY-100 光学薄膜量测系统可以对应32nm以下技术节点薄膜量测。 High Yield？ HY-101 光学薄膜量测系统可以对应2Xnm技术节点的逻辑和存储等复杂结构的薄膜量测。 High Yield？ HY-102 光学薄膜量测系统可以对应1Xnm技术节点的逻辑和存储等复杂结构的薄膜量测。 High Yield？ HY-110 光学薄膜量测系统具备光栅膜和多层复杂堆叠结构量测能力，可以对应7nm、5nm及以下技术节点的量测需求，以及3D NAND的128-256层堆叠结构。 ？thena Xcellence？系列 半导体X射线薄膜量测设备 X射线薄膜量测系统(Fast XRR & GIXRF)采用混合式的快速X射线反射技术(XRR)及掠入射角X射线荧光技术(GIXRF)，可以对应先进制程或成熟制程薄膜和超薄膜的量测，提供精确快速的薄膜成分、膜厚、密度、粗糙度等多种薄膜特性参数量测，包括复杂多层结构，并且具有一定的7nm、5nm制程量测能力。 二、光学关键尺寸量测 High Yield？ Competence系列 半导体光学关键尺寸量测设备 AE自主开发的High Yield？ Competence 系列光学关键尺寸量测平台适用于显影后（ADI），刻蚀后（AEI）等多个工艺段的二维或三维样品微尺度形貌，例如侧壁高度、深度、宽度等高精度关键尺寸测量，同时也具备FinFET，垂直堆叠NAND，DRAM以及其他前沿技术节点等复杂结构的关键尺寸量测能力。 High Yield？ Competence HYC-100 光学关键尺寸量测系统可以对应32nm及以下技术节点关键尺寸（CD）量测。 High Yield？ Competence HYC-101 光学关键尺寸量测系统可以对应2X技术节点的逻辑和存储等复杂结构的关键尺寸（CD）量测。 High Yield？ Competence HYC-102 光学关键尺寸量测系统可以对应1Xnm技术节点逻辑和存储等复杂结构的关键尺寸（CD）量测。 High Yield？ Competence HYC-103 光学关键尺寸量测系统具备复杂膜层和多层堆叠结构量测能力，可以部分对应7nm，5nm及以上技术节点的CD量测需求，以及3D NAND的128-256层堆叠结构。 ？thena Xcellence？Competence 系列 半导体X射线关键尺寸量测设备 随着半导体技术的不断发展，工艺越来越复杂，关键尺寸也越来越小，X射线CD检测在未来半导体晶圆制造量测领域将会扮演重要角色，AE自主研发的？thena Xcellence？ Competence X射线关键尺寸量测机台，具备高解析度，多层解析能力，可以对应一定的7nm，5nm制程。 三、材料量测设备 ？thena Fulfillment？ 系列 X射线材料量测设备 晶圆表面各类污染，脏污，金属污染等将导致器件的失效，AE自主研发的？thena Fulfillment？ 全反射式X射线荧光(TXRF)和掠入射角荧光光谱仪(GIXRF)混合测量技术同时具备表面污染和薄膜元素成分检测的两种功能，为晶圆加工提供有效，准确的良率控制和分析手段。X射线具备更短的波长，近年来越来越多地被应用到先进工艺节点上。 埃芯半导体量测解决方案为中国现有成熟工艺带来高性价比、高性能的国产设备。同时为开发下一代半导体器件，旨在为3D NAND，领先的5nm/3nm逻辑和先进的1X，1Y，1Z DRAM器件提供高精度和高生产率的良率控制解决方案。 资料来源：埃芯半导体微信公众号、爱集微

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