【中微公司】钨填充CVD设备正在与客户对接验证,持续布局薄膜沉积与图形化工具的前沿技术构建薄膜工艺协同一体化解决方案
(以下内容从中银证券《【中微公司】钨填充CVD设备正在与客户对接验证,持续布局薄膜沉积与图形化工具的前沿技术构建薄膜工艺协同一体化解决方案》研报附件原文摘录)
公司发布2021年报,实现营收31.08亿元,同比增长37%;净利润10.11亿元,同比增长105%;扣非净利润3.24亿元,同比增长1291%;毛利率43.36%,较上年扩大5.69个百分点。 支撑评级的要点 n ICP刻蚀交付腔体数量超预期。21年产品付运腔体数量为491腔,同比增长66.4%。其中,CCP刻蚀机付运298腔,同比增长40%;ICP刻蚀机付运134腔,同比增长235%,取得突破性进展。而对于MOCVD设备销售,公司去年新发布的MiniLED MOCVD设备Prismo UniMax年底订单超100腔,到今年3月底订单累计已超180腔。 n 刻蚀设备高速成长,去年总订单翻倍增长。公司21年实现营收同比增长37%,增速较前两年大幅提升。其中刻蚀设备收入20.04亿元,占比64%,同比增长55%;MOCVD设备收入5.03亿元,占比36%,同比增长1.53%。公司21年新签订单金额同比增长90.5%达41.3亿元,保障2022年收入延续高增长趋势。 n 产品结构优化,盈利能力大幅提升。去年专用设备的毛利率增加4.88个百分点至42.20%,其中MOCVD设备的毛利率大幅提升18.65个百分点至33.77%;刻蚀设备仍保持44.32%的较高水平。同时,盈利能力较高的刻蚀收入比重,较去年提升7个百分点至64%,公司的收入结构明显改善。 n CCP等离子体刻蚀进入先进的5纳米芯片生产线和下一代的试生产线上。公司2021年共生产付运CCP刻蚀设备298腔,产量同比增长40%。此外,在先进逻辑电路方面,公司持续升级硬件性能,成功取得5纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。 n 公司ICP刻蚀设备已经逐步趋于成熟。Primo nanova? ICP刻蚀产品已经在超过15家客户的生产线上进行100多个ICP刻蚀工艺的验证。2021年3月,公司研发并推出的具有高输出率特点的双反应台ICP刻蚀设备Primo Twin-Star?刻蚀设备,已经在国内领先的客户生产线上完成认证,并收到更多国内客户的订单。 n 把握科技前沿,IC工艺设备产品平台从薄膜图形化工具辐射到薄膜沉积和外延生长设备。具体包括薄膜刻蚀:CCP、ICP、ALE,薄膜沉积:LPCVD、EPI、ALD;第三代半导体:硅基氮化镓及碳化硅功率器件专用的外延设备。 (1) 钨填充LPCVD设备取得阶段性进展。应用于金属互联的 CVD 钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求,产品正与关键客户对接验证。基于金属钨LPCVD 设备,公司正进一步开发 CVD 和 ALD 设备。 (2) SiGe Epi设备完成设计方案,进入样机制造阶段。2021年组建EPI设备研发团队,通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈,已形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司EPI设备已进入样机设计、制造和调试阶段,以满足客户先进制程中SiGe外延生长工艺的电性和可靠性需求。 (3) 积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场。开发GaN功率器件量产应用的MOCVD设备,目前已交付国内外领先客户进行生产验证。启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备开发,将进一步丰富公司的产品线。 盈利预测及评级 鉴于公司刻蚀设备尤其是ICP刻蚀21年订单大幅增长,且MOCVD设备订单也超预期增长,我们上调22-24年净利润至11.26/12.90/15.17亿元,维持“买入”评级。 评级面临的主要风险 晶圆厂扩建不及预期,零部件紧缺导致设备交付延迟,国际地缘政治摩擦的不确定。 1、21年销售业绩亮眼,营收端动力充足 公司21年实现营收31.08亿元,同比增长37%,增速较前两年大幅提升。其中: n 刻蚀设备:收入20.04亿元,占比64%,同比增长55%; n MOCVD设备:收入5.03亿元,占比36%,同比增长1.53%。 21年产品付运腔体数量为491腔,同比增长66.4%,主营产品销售成绩亮眼,助力营收端的高速增长: n 刻蚀设备:CCP刻蚀机付运298腔,同比增长40%;ICP刻蚀机付运134腔,同比增长235%,取得突破性进展; n MOCVD设备:公司新发布的MiniLED MOCVD设备Prismo UniMax在半年内已获得国内多家领先客户的合计超100腔的批量订单,表明公司产品在业内的高度认可。 21年新签订单金额41.3亿元,同比增长90.5%,营收端的动力充足,后续有望保持强劲增长态势。 2、盈利能力大幅提升,收入结构改善 公司21年的扣非净利润显著增长1291%,专用设备的毛利率增加4.88个百分点至42.20%,产品整体毛利的显著改善带动公司盈利能力的大幅提升,其中: n MOCVD设备:毛利率大幅提升18.65个百分点至33.77%,主要因为MOCVD的收入结构改善,新推出的MiniLED量产型MOCVD设备PrismoUniMax的毛利较高。 n 刻蚀设备:仍保持44.32%的较高水平,收入比重较去年提升7个百分点至64%,带动整体盈利水平提升。 3、国产刻蚀龙头地位稳固,积极拓展多维优势 刻蚀设备继续保持领先优势。据公司公告,其CCP刻蚀产品在国内外一线客户的逻辑和存储芯片制造产线上持续提升市场占有率,在部分关键客户市场占有率已进入前三位甚至前二位;同时,公司的ICP刻蚀设备在2021年通过诸多客户的工艺认证并获得重复订单。 n CCP刻蚀:(1)在先进逻辑电路方面,成功取得5nm及以下逻辑电路产线的重复订单;(2)在存储电路方面,在64层及128层3DNAND产线得到广泛应用。(3)公司新推出的8英寸晶圆加工CCP刻蚀设备Primo AD-RIE 200?可灵活配置多达三个双反应台反应腔(即六个反应台),且提供可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案,进一步增强公司的CCP产品组合实力。 n ICP刻蚀:(1)公司的Primo nanova? ICP 刻蚀产品已经在超过15 家客户的生产线上进行 100 多个 ICP 刻蚀工艺的验证,截止21年12月底,已经顺利交付超180台反应腔,持续提升ICP刻蚀的市场份额。(2)公司新推出的高输出率双反应台ICP刻蚀设备Primo Twin-Star?已经在国内领先客户的产线上完成认证,并收到更多国内客户的订单。(3)同样应用 ICP 技术的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV200E?、Primo TSV300E?在先进系统封装、2.5 维封装和微机电系统芯片生产线等成熟刻蚀市场继续获得重复订单的同时,也开始在 3D 芯片等新兴市场的刻蚀工艺上得到验证。 MOCVD设备的产品组合大大改善。(1)公司的蓝光照明 Prismo A7?以及深紫外 LED 外延片 Prismo HiT3?产品持续服务客户。(2)新发布的高性能 Mini LED 量产的 MOCVD 设备 Prismo UniMax?可同时加工 164 片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延片,推出半年内已收到来自国内多家领先客户的批量订单,合计超过 100 腔。(3)正开发针对 Micro LED 应用的专用 MOCVD 设备。(4)积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备,开发 GaN 功率器件量产应用的MOCVD 设备,目前已交付国内外领先客户进行生产验证。(5)启动应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发。 4、薄膜沉积设备研发取得阶段性突破 (1)公司的应用于金属互联的 CVD 钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求,产品正与关键客户对接验证。 (2)正进一步开发 CVD 和 ALD 设备,实现更高深宽比和更小的关键尺寸结构的填充,以满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。 (3)组建 EPI 设备研发团队,已形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案,进入样机的设计、制造和调试阶段,以满足先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。 5、积极践行三维发展战略,为持续增长创造窗口 公司正开发的LPCVD和Epi已取得良好进展,并筹划开发ALD、ALE等设备,还启动用于制造 Micro LED、功率器件等生产的 MOCVD 设备的开发,同时通过参股上海睿励进行量测领域的外延,参股山东天岳进行半导体材料领域的外延,参股沈阳拓荆进行PECVD领域的外延,形成半导体(刻蚀、沉积、量测、材料)和泛半导体(MOCVD)等平台化布局,打造较饱满的营收来源。
公司发布2021年报,实现营收31.08亿元,同比增长37%;净利润10.11亿元,同比增长105%;扣非净利润3.24亿元,同比增长1291%;毛利率43.36%,较上年扩大5.69个百分点。 支撑评级的要点 n ICP刻蚀交付腔体数量超预期。21年产品付运腔体数量为491腔,同比增长66.4%。其中,CCP刻蚀机付运298腔,同比增长40%;ICP刻蚀机付运134腔,同比增长235%,取得突破性进展。而对于MOCVD设备销售,公司去年新发布的MiniLED MOCVD设备Prismo UniMax年底订单超100腔,到今年3月底订单累计已超180腔。 n 刻蚀设备高速成长,去年总订单翻倍增长。公司21年实现营收同比增长37%,增速较前两年大幅提升。其中刻蚀设备收入20.04亿元,占比64%,同比增长55%;MOCVD设备收入5.03亿元,占比36%,同比增长1.53%。公司21年新签订单金额同比增长90.5%达41.3亿元,保障2022年收入延续高增长趋势。 n 产品结构优化,盈利能力大幅提升。去年专用设备的毛利率增加4.88个百分点至42.20%,其中MOCVD设备的毛利率大幅提升18.65个百分点至33.77%;刻蚀设备仍保持44.32%的较高水平。同时,盈利能力较高的刻蚀收入比重,较去年提升7个百分点至64%,公司的收入结构明显改善。 n CCP等离子体刻蚀进入先进的5纳米芯片生产线和下一代的试生产线上。公司2021年共生产付运CCP刻蚀设备298腔,产量同比增长40%。此外,在先进逻辑电路方面,公司持续升级硬件性能,成功取得5纳米及以下逻辑电路产线的重复订单。 n 公司ICP刻蚀设备已经逐步趋于成熟。Primo nanova? ICP刻蚀产品已经在超过15家客户的生产线上进行100多个ICP刻蚀工艺的验证。2021年3月,公司研发并推出的具有高输出率特点的双反应台ICP刻蚀设备Primo Twin-Star?刻蚀设备,已经在国内领先的客户生产线上完成认证,并收到更多国内客户的订单。 n 把握科技前沿,IC工艺设备产品平台从薄膜图形化工具辐射到薄膜沉积和外延生长设备。具体包括薄膜刻蚀:CCP、ICP、ALE,薄膜沉积:LPCVD、EPI、ALD;第三代半导体:硅基氮化镓及碳化硅功率器件专用的外延设备。 (1) 钨填充LPCVD设备取得阶段性进展。应用于金属互联的 CVD 钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求,产品正与关键客户对接验证。基于金属钨LPCVD 设备,公司正进一步开发 CVD 和 ALD 设备。 (2) SiGe Epi设备完成设计方案,进入样机制造阶段。2021年组建EPI设备研发团队,通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈,已形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司EPI设备已进入样机设计、制造和调试阶段,以满足客户先进制程中SiGe外延生长工艺的电性和可靠性需求。 (3) 积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场。开发GaN功率器件量产应用的MOCVD设备,目前已交付国内外领先客户进行生产验证。启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备开发,将进一步丰富公司的产品线。 盈利预测及评级 鉴于公司刻蚀设备尤其是ICP刻蚀21年订单大幅增长,且MOCVD设备订单也超预期增长,我们上调22-24年净利润至11.26/12.90/15.17亿元,维持“买入”评级。 评级面临的主要风险 晶圆厂扩建不及预期,零部件紧缺导致设备交付延迟,国际地缘政治摩擦的不确定。 1、21年销售业绩亮眼,营收端动力充足 公司21年实现营收31.08亿元,同比增长37%,增速较前两年大幅提升。其中: n 刻蚀设备:收入20.04亿元,占比64%,同比增长55%; n MOCVD设备:收入5.03亿元,占比36%,同比增长1.53%。 21年产品付运腔体数量为491腔,同比增长66.4%,主营产品销售成绩亮眼,助力营收端的高速增长: n 刻蚀设备:CCP刻蚀机付运298腔,同比增长40%;ICP刻蚀机付运134腔,同比增长235%,取得突破性进展; n MOCVD设备:公司新发布的MiniLED MOCVD设备Prismo UniMax在半年内已获得国内多家领先客户的合计超100腔的批量订单,表明公司产品在业内的高度认可。 21年新签订单金额41.3亿元,同比增长90.5%,营收端的动力充足,后续有望保持强劲增长态势。 2、盈利能力大幅提升,收入结构改善 公司21年的扣非净利润显著增长1291%,专用设备的毛利率增加4.88个百分点至42.20%,产品整体毛利的显著改善带动公司盈利能力的大幅提升,其中: n MOCVD设备:毛利率大幅提升18.65个百分点至33.77%,主要因为MOCVD的收入结构改善,新推出的MiniLED量产型MOCVD设备PrismoUniMax的毛利较高。 n 刻蚀设备:仍保持44.32%的较高水平,收入比重较去年提升7个百分点至64%,带动整体盈利水平提升。 3、国产刻蚀龙头地位稳固,积极拓展多维优势 刻蚀设备继续保持领先优势。据公司公告,其CCP刻蚀产品在国内外一线客户的逻辑和存储芯片制造产线上持续提升市场占有率,在部分关键客户市场占有率已进入前三位甚至前二位;同时,公司的ICP刻蚀设备在2021年通过诸多客户的工艺认证并获得重复订单。 n CCP刻蚀:(1)在先进逻辑电路方面,成功取得5nm及以下逻辑电路产线的重复订单;(2)在存储电路方面,在64层及128层3DNAND产线得到广泛应用。(3)公司新推出的8英寸晶圆加工CCP刻蚀设备Primo AD-RIE 200?可灵活配置多达三个双反应台反应腔(即六个反应台),且提供可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案,进一步增强公司的CCP产品组合实力。 n ICP刻蚀:(1)公司的Primo nanova? ICP 刻蚀产品已经在超过15 家客户的生产线上进行 100 多个 ICP 刻蚀工艺的验证,截止21年12月底,已经顺利交付超180台反应腔,持续提升ICP刻蚀的市场份额。(2)公司新推出的高输出率双反应台ICP刻蚀设备Primo Twin-Star?已经在国内领先客户的产线上完成认证,并收到更多国内客户的订单。(3)同样应用 ICP 技术的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV200E?、Primo TSV300E?在先进系统封装、2.5 维封装和微机电系统芯片生产线等成熟刻蚀市场继续获得重复订单的同时,也开始在 3D 芯片等新兴市场的刻蚀工艺上得到验证。 MOCVD设备的产品组合大大改善。(1)公司的蓝光照明 Prismo A7?以及深紫外 LED 外延片 Prismo HiT3?产品持续服务客户。(2)新发布的高性能 Mini LED 量产的 MOCVD 设备 Prismo UniMax?可同时加工 164 片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延片,推出半年内已收到来自国内多家领先客户的批量订单,合计超过 100 腔。(3)正开发针对 Micro LED 应用的专用 MOCVD 设备。(4)积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备,开发 GaN 功率器件量产应用的MOCVD 设备,目前已交付国内外领先客户进行生产验证。(5)启动应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发。 4、薄膜沉积设备研发取得阶段性突破 (1)公司的应用于金属互联的 CVD 钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求,产品正与关键客户对接验证。 (2)正进一步开发 CVD 和 ALD 设备,实现更高深宽比和更小的关键尺寸结构的填充,以满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。 (3)组建 EPI 设备研发团队,已形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案,进入样机的设计、制造和调试阶段,以满足先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。 5、积极践行三维发展战略,为持续增长创造窗口 公司正开发的LPCVD和Epi已取得良好进展,并筹划开发ALD、ALE等设备,还启动用于制造 Micro LED、功率器件等生产的 MOCVD 设备的开发,同时通过参股上海睿励进行量测领域的外延,参股山东天岳进行半导体材料领域的外延,参股沈阳拓荆进行PECVD领域的外延,形成半导体(刻蚀、沉积、量测、材料)和泛半导体(MOCVD)等平台化布局,打造较饱满的营收来源。
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