【PPT】3D NAND沉积工艺的特点及挑战——《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》

（以下内容从中银证券《【PPT】3D NAND沉积工艺的特点及挑战——《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》》研报附件原文摘录）
　　往期回顾： 1.【Study】EUV光源的产生方法及对比 2.【Study】傅里叶级数和变换 3.【Study】基于机器学习的OPC技术 4.【Study】LELE和LELELE技术的特点及其图形拆分技术 5.【Study】极紫外光刻随机效应特征及建模方法 6.【Study】光学关键尺寸（OCD）测量的原理和方法 7.【Study】FinFET和FDSOI的技术特点及对光刻技术需求 8.【Study】基于良率的工艺综合分析模型 9.【Study】GAA器件结构的工艺及挑战 10.【Study】小尺寸下的CMP-aware版图优化 11.【Study】三维掩模衍射场的快速分析方法 12.【Study】集成电路制造中的定向自组装技术 13.【Study】不同布局布线对工艺窗口的影响 14.【Study】集成电路制造工艺的测量方法及特点 15.【Study】3D-NAND刻蚀工艺特点与挑战 16.【Study】EUV掩模缺陷检测和补偿 17.【Study】集成电路制造工艺的测量方法及特点 18.【Study】3D-NAND刻蚀工艺特点与挑战 19.【Study】EUV掩模缺陷检测和补偿 20.【Study】时域有限元方法(FEM)原理 21.【Study】浸没式光刻工艺缺陷种类、特征及自识别方法 22.【Study】面向光刻的设计规则建立及优化 23.【Study】ALD工艺与仿真建模方法 24.【Study】ALE工艺与仿真建模方法 25.【Study】化学放大型光刻胶原理及发展概述 26.【Study】SADP和SALELE技术的特点及其图形拆分技术 27.【Study】DFM的概念与流程 28.【Study】STCO综述 29.【Study】考虑光刻工艺因素的物理设计流程 30.【Study】典型显微系统的光学成像原理 31.【Study】FDTD时域有限差分方法原理 32.【Study】RCWA方法原理

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