【PPT】光学关键尺寸(OCD)测量的原理和方法——《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》

（以下内容从中银证券《【PPT】光学关键尺寸(OCD)测量的原理和方法——《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》》研报附件原文摘录）
　　编者按：中国科学院大学微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期微电子学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。考虑到这些内容也是目前业界关注的实用技术，征得教师和学生的同意，本公众号将陆续展示一些学生的调研结果。这些报告还很初步，甚至有少许谬误之处，请业界专家批评指正。 往期回顾： 1.【Study】EUV光源的产生方法及对比 2.【Study】傅里叶级数和变换 3.【Study】基于机器学习的OPC技术 4.【Study】LELE和LELELE技术的特点及其图形拆分技术 5.【Study】小尺寸节点下 CMP-aware的版图优化 6.【Study】考虑连线的标准单元库优化技术 7.【Study】基于双目视觉的SEM三维重建方法 8.【Study】集成电路SEM结果垂直结构三维重建方法 9.【Study】集成电路制造中的定向自组装技术 10.【Study】3D IC对于光刻技术的新技术要求 11.【Study】考虑标准单元库Pin脚引线的DTCO 12.【Study】不同布局布线对工艺窗口的影响

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