天风·机械 | HBM:堆叠互联,方兴未艾_公众号研报

（以下内容从天风证券《天风·机械 | HBM:堆叠互联,方兴未艾》研报附件原文摘录）
　　HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节：3D堆叠方式允许芯片在垂直方向上连接，大大增加了单位面积内的存储密度和带宽，每一层通过硅通孔和微凸点互连技术与其他层连接，互联技术尤为重要。建议关注：拓荆科技、芯源微、华海清科、精智达、长川科技、赛腾股份、芯碁微装（与电子组联合覆盖）。堆叠互联为HBM核心工艺 HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节：3D堆叠方式允许芯片在垂直方向上连接，大大增加了单位面积内的存储密度和带宽，每一层通过硅通孔和微凸点互连技术与其他层连接，互联技术尤为重要。 1）通孔：TSV系垂直堆叠核心工艺深孔刻蚀设备：深孔刻蚀是TSV的关键工艺，目前首选技术是基于Bosch工艺的干法刻蚀；铜填充设备：解决高深宽比微孔内的金属化问题，提高互联孔的可靠性，系整个TSV工艺里最核心、难度最大的工艺； CMP设备：TSV要求晶圆减薄至50μm甚至更薄，要使硅孔底部的铜暴露出来，为下一步的互连做准备。 2）键合：混合键合，未来可期混合键合：混合键合互连方案满足3D内存堆栈和异构集成的极高互连密度需求，并且可以显著降低整体封装厚度、更高电流负载能力、更好热性能。临时键合&解键合：为满足TSV和三维堆叠型3D集成制造需求，减薄后晶圆厚度越来越薄，为了解决超薄晶圆的取放问题，业界通常采用临时键合与解键合技术。 3）测试：复杂结构提出更高要求 KGSD测试：主要包括逻辑芯片测试、动态向量老化应力测试、TSV测试、高速性能测试、PHYI/O测试以及2.5DSIP测试。建议关注：拓荆科技：积极布局混合键合，薄膜沉积持续领先芯源微：涂胶显影+临时键合，新签订单大幅增长华海清科：“装备+服务”平台化战略布局，先进封装增量可期精智达：国内少数构建起完整的半导体存储器测试解决方案的企业之一长川科技：专注集成电路测试设备领域，掌握核心技术赛腾股份：收购日本OPTIMA ，拓宽高端半导体业务领域芯碁微装（与电子组联合覆盖）：积极布局先进封装，已获连续重复订单风险提示：晶圆厂p扩产不及预期的风险、供应链安全风险、技术开发风险。点击以下小程序链接阅读报告原文

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