【半导体*周尔双】深度:海外半导体设备巨头巡礼系列:探寻泛林(LAM)成为刻蚀设备龙头的技术&成长逻辑

（以下内容从东吴证券《【半导体*周尔双】深度:海外半导体设备巨头巡礼系列:探寻泛林(LAM)成为刻蚀设备龙头的技术&成长逻辑》研报附件原文摘录）
　　半导体 海外半导体设备巨头巡礼系列 探寻泛林（LAM） 成为刻蚀设备龙头的技术&成长逻辑 泛林半导体（Lam Research）以刻蚀设备起家，通过自主研发和多次并购成长为半导体设备行业巨头。泛林半导体于1980年成立，1984年在美国纳斯达克证券交易所上市。公司早期深耕刻蚀设备，2006年后，公司开始通过并购的方式外扩产品线，自此公司形成以刻蚀、薄膜沉积、清洁为核心的三大主营业务板块。 公司产品围绕刻蚀、薄膜沉积、清洗三大设备领域布局，在刻蚀设备和CVD薄膜沉积设备市场占据领先地位。在刻蚀市场，公司刻蚀工艺包括导体（金属）刻蚀、电介质刻蚀、硅通孔刻蚀，公司2021年全球刻蚀设备市占率约为46%，是全球最大的刻蚀设备供应商。在薄膜沉积市场，公司沉积工艺包括ALD、CVD、ECD，公司2021年CVD设备市占率约为23%，位列第二；ECD设备市占率超90%，垄断市场；ALD设备市占率仅为9%，位列市场前五。在清洗市场，公司主要应用湿法和干法（等离子斜面清洗）两种清洗技术，公司2021年占据全球清洗设备市场份额12%，位列第四。 先进制程+AI发展是行业周期上行的核心驱动力：AI大模型的数据计算量激增，驱动HBM异军突起。TSV（硅通孔技术）是HBM核心工艺，成本占比接近30%。在TSV成本构成中，硅通孔刻蚀成本占比为44%，是TSV工艺的主要成本。先进制程带动刻蚀设备和薄膜沉积设备需求量提升，逻辑器件方面，随着国际上先进芯片线宽向 7m、5m及更先进工艺的方向升级，受光刻机波长限制，芯片制造过程中需要结合刻蚀和薄膜设备采用多重模板工艺。存储器件方面，3D NAND逐渐替代2D NAND，3D NAND 的叠层结构对刻蚀设备功能要求更高，同时沉积设备价量比重上升8pct。 投资建议：欧美制裁+大基金政策强化国产化替代逻辑，看好北方华创成为中国的半导体平台化巨头。 风险提示：半导体行业投资不及预期：若半导体行业景气度下滑，下游客户资本支出减少，则对半导体设备的需求将可能下降，将给半导体设备行业的短期业绩带来一定压力；设备国产化不及预期：集成电路专用设备技术门槛较高，某些环节的技术难点或者国内设备厂商产能瓶颈可能导致设备国产化进展不及预期。 （分析师 周尔双、李文意） 最新金股组合 东吴证券研究所机构销售通讯录 法律声明 本公众号（微信号：scsresearch）为东吴证券股份有限公司（以下简称“东吴证券”）研究所依法设立，独立运营的官方订阅号。本订阅号不是东吴证券研究所的研究成果发布平台，本公众号所截内容均来自于东吴证券研究所已经正式发布的研究报告，如需了解详细的证券研究信息，请参见东吴证券研究所发布的完整报告。在任何情况下，本号所截内容不构成对任何人的投资建议，东吴证券或东吴研究所也不对任何人因使用本订阅号所截内容所引致的任何损失负任何责任。本订阅号所截内容版权仅归东吴证券研究所所有，东吴证券及东吴研究所对本订阅号保留一切法律权利。订阅人对本订阅号发布的所有内容（包括文字、图片、影像等）未经书面许可，禁止复制、转载；经授权进行复制、转载的，需注明出处为“东吴证券研究所”，且不得对本订阅号所截内容进行任何有悖原意的引用、删节或修改。

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