【华金电子孙远峰团队-HBM快报】英伟达“Rubin”确认搭载HBM4,HBM加速迭代升级
（以下内容从华金证券《【华金电子孙远峰团队-HBM快报】英伟达“Rubin”确认搭载HBM4,HBM加速迭代升级》研报附件原文摘录）
投资要点 2024年6月2日，黄仁勋宣布下一代AI平台“Rubin”将集成HBM4内存，预计于2026年发布。 ?“Rubin”确认搭载HBM4，存力成为重要升级方向 北京时间2024年6月2日，英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋在COMPUTEX 2024大会上发表主题为“开启产业革命的全新时代”的演讲，宣布Blackwell芯片已开始投产，其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出；下一代数据中心GPU架构名为“Rubin”，将集成HBM4内存，Rubin GPU和Rubin Ultra GPU预计分别于2026年和2027年发布。 存力是英伟达AI产品的重要升级方向。基于Hopper架构的H200发布于2023年11月，搭载了6颗HBM3E芯片，容量为141GB，带宽为4.8TB/s。时隔仅4个月，英伟达发布了新一代GPU架构——Blackwell；Blackwell GPU搭载了8颗8层HBM3E芯片，容量达192GB，带宽高达8TB/s，现已开始投产；其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出，将搭载8颗12层HBM3E芯片。英伟达计划于2026年推出名为“Rubin”的下一代数据中心GPU架构。基于Rubin架构的Rubin GPU将配备8个HBM4芯片；其增强版Rubin Ultra GPU将集成12颗HBM4芯片，预计于2027年推出，这也是英伟达首次在其AI半导体芯片中使用12颗HBM芯片。 ?三大原厂加速HBM迭代，推动产业链配套升级 美光、SK海力士和三星三大存储原厂于2024年相继实现HBM3E的量产，同时加速推进HBM4的研发工作。 美光：2024年2月，美光宣布量产HBM3E，并将搭载于NVIDIA H200 Tensor Core GPU。该产品单引脚最大I/O速率超9.2Gbit/s，最高带宽超1.2TB/s，层数为8层，容量为24GB。此外美光还提供容量为36GB的12层堆叠HBM3E样品。美光计划于2026年发布HBM4产品，最高带宽超1.5TB/s，容量为36GB~48GB，堆叠层数达到12/16层。美光预计2028年推出HBM4E产品，容量将提升至48GB~64GB，带宽增加至2TB/s以上，而堆叠层数仍为12/16层。 SK海力士：2023年8月，SK海力士宣布成功开发出HBM3E，单引脚最大I/O 速率为9.2Gbit/s，层数为12层，最高带宽超1.18TB/s；同时该产品采用了MR-MUF技术，散热性能提升10%。2024年3月，SK 海力士宣布HBM3E已开始量产。2024年4月，SK 海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。SK海力士表示，应大客户要求，HBM开发进度将提前一年，预计于2025年完成HBM4的开发；HBM4E最早于2026年推出，内存带宽将是HBM4的1.4倍。 三星：2023年10月，三星推出其HBM3E产品——“Shinebolt”，单引脚最大I/O速率高达9.8Gbit/s，同时提供1.2TB/s的高带宽。根据Wccftech消息，8层HBM3E已于2024年4月量产，容量高达36GB的12层HBM3E计划于24Q2实现量产。在ISSCC 2024上，三星公布了其HBM4的研究成果，最高带宽达2TB/s，并通过16层堆叠实现48GB容量，计划于2025年推出。 我们认为，以英伟达为代表的AI芯片厂商正加快开发周期，作为AI芯片最强辅助的HBM也在加速迭代，推动HBM产业链持续配套升级的同时带来新需求。 ?投资建议 建议关注HBM产业链相关标的：1）封测环节：通富微电（先进封装）、长电科技（先进封装）等；2）设备环节：拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、华卓精科（拟上市，键合设备）、芯源微（临时键合与解键合）等；3）材料环节：华海诚科（环氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）等。 ?风险提示 行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。 华金电子孙远峰团队：孙远峰/王海维/王臣复/宋鹏/吴家欢 分析师编号：S0910522120001 关注最新电子动态，前瞻行业投资趋势 欢迎点击上方“远峰电子”订阅 ①关注公众号，点击菜单“芯时代”获取《电子-走进“芯”时代系列深度报告》 点击菜单“5G电子”获取《电子-5G电子*产业链系列深度报告》 点击菜单“更多深度”获取更多电子团队行业和公司深度报告 ②关注公众号，回复引号内关键字直接获取单篇深度报告 芯时代系列关键字索引：“全产业链”、“模拟IC”、“射频芯片”、“射频PA”、“存储器”、“功率半导体”、“材料”、“设备”、“大硅片”、“3D封装”、“IC载板”、“智能处理器”、“封测”、“化合物”、“制造”、“后摩尔时代”、“GPU”、“IGBT“、”eID” 5G电子系列关键字索引：“LCP”、“5G换机”、“天线滤波器”、“天线射频前端”、“增量分析”、“射频芯片“、“射频PA” 其他关键字索引：“消费电子”、“PCB”、“FPC”、“智能音箱”、“智能电表”、“汽车电子”、“AOI设备”、“OLED”、“安防”、“苹果创新”、“全面屏”、“无线充电”、“快速充电”、“生物识别”、“光学3D”、“LED应用”、“Mini LED”、“毫米波雷达”、“摄像头” 公司深度关键字索引：“韦尔股份”、“中环股份”、“北方华创”、“中微公司”、“卓胜微”、“扬杰科技”、“斯达半导”、“华润微”、“力芯微”、“信维通信”、“中芯国际”、“汇顶科技”、“欧菲光”、“深南电路”、”沪硅产业“、“恒玄科技”、“芯海科技”、“芯朋微”、“寒武纪”、“艾为电子”、“芯原股份”、“东山精密”、“景旺电子”、“工业富联”、“太极实业”、“洲明科技”、“华微电子”、“深天马A”、“长盈精密”、“精测电子”、“中航光电” 行业和公司更多研究结果，请长按图片关注“远峰电子”公众号 注：文中报告节选自华金证券研究所已公开发布研究报告，具体报告内容及相关风险提示等详见完整版报告。 分析师：孙远峰、王海维 分析师执业编号：S0910522120001、S0910523020005 证券研究报告：《英伟达“Rubin”确认搭载HBM4，HBM加速迭代升级》 报告发布日期：2024年6月3日 团队简介： 孙远峰：华金证券总裁助理&研究所所长&电子行业首席分析师，哈尔滨工业大学工学学士，清华大学工学博士，近3年电子实业工作经验；2018年新财富上榜分析师（第3名），2017年新财富入围/水晶球上榜分析师，2016年新财富上榜分析师（第5名），2013~2015年新财富上榜分析师团队核心成员；多次获得保险资管IAMAC、水晶球、金牛奖等奖项最佳分析师；2019年开始未参加任何个人评比，其骨干团队专注于创新&创业型研究所的一线具体创收&创誉工作，以“产业资源赋能深度研究”为导向，构建研究&销售合伙人队伍，积累了健全的成熟团队自驱机制和年轻团队培养机制，充分获得市场验证；2023年带领崭新团队获得《证券时报》评选的中国证券业最具特色研究君鼎奖和2023年Wind第11届金牌分析师进步最快研究机构奖；清华校友总会电子工程系分会副秘书长，清华大学上海校友会电子信息专委会委员 王海维：电子行业联席首席分析师，华东师范大学硕士，电子&金融复合背景，主要覆盖半导体板块，善于个股深度研究，2018年新财富上榜分析师（第3名）核心成员，先后任职于安信证券/华西证券研究所，2023年2月入职华金证券研究所 王臣复：电子行业高级分析师，北京航空航天大学工学学士和管理学硕士，曾就职于欧菲光集团投资部、融通资本、平安基金、华西证券资产管理总部、华西证券等，2023年2月入职华金证券研究所 宋鹏：电子行业助理分析师，莫纳什大学硕士，曾就职于头豹研究院TMT组，2023年3月入职华金证券研究所 吴家欢：电子行业助理分析师，吉林大学学士，博科尼大学硕士，电子&管理复合背景，2023年11月入职华金证券研究所
投资要点 2024年6月2日，黄仁勋宣布下一代AI平台“Rubin”将集成HBM4内存，预计于2026年发布。 ?“Rubin”确认搭载HBM4，存力成为重要升级方向 北京时间2024年6月2日，英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋在COMPUTEX 2024大会上发表主题为“开启产业革命的全新时代”的演讲，宣布Blackwell芯片已开始投产，其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出；下一代数据中心GPU架构名为“Rubin”，将集成HBM4内存，Rubin GPU和Rubin Ultra GPU预计分别于2026年和2027年发布。 存力是英伟达AI产品的重要升级方向。基于Hopper架构的H200发布于2023年11月，搭载了6颗HBM3E芯片，容量为141GB，带宽为4.8TB/s。时隔仅4个月，英伟达发布了新一代GPU架构——Blackwell；Blackwell GPU搭载了8颗8层HBM3E芯片，容量达192GB，带宽高达8TB/s，现已开始投产；其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出，将搭载8颗12层HBM3E芯片。英伟达计划于2026年推出名为“Rubin”的下一代数据中心GPU架构。基于Rubin架构的Rubin GPU将配备8个HBM4芯片；其增强版Rubin Ultra GPU将集成12颗HBM4芯片，预计于2027年推出，这也是英伟达首次在其AI半导体芯片中使用12颗HBM芯片。 ?三大原厂加速HBM迭代，推动产业链配套升级 美光、SK海力士和三星三大存储原厂于2024年相继实现HBM3E的量产，同时加速推进HBM4的研发工作。 美光：2024年2月，美光宣布量产HBM3E，并将搭载于NVIDIA H200 Tensor Core GPU。该产品单引脚最大I/O速率超9.2Gbit/s，最高带宽超1.2TB/s，层数为8层，容量为24GB。此外美光还提供容量为36GB的12层堆叠HBM3E样品。美光计划于2026年发布HBM4产品，最高带宽超1.5TB/s，容量为36GB~48GB，堆叠层数达到12/16层。美光预计2028年推出HBM4E产品，容量将提升至48GB~64GB，带宽增加至2TB/s以上，而堆叠层数仍为12/16层。 SK海力士：2023年8月，SK海力士宣布成功开发出HBM3E，单引脚最大I/O 速率为9.2Gbit/s，层数为12层，最高带宽超1.18TB/s；同时该产品采用了MR-MUF技术，散热性能提升10%。2024年3月，SK 海力士宣布HBM3E已开始量产。2024年4月，SK 海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。SK海力士表示，应大客户要求，HBM开发进度将提前一年，预计于2025年完成HBM4的开发；HBM4E最早于2026年推出，内存带宽将是HBM4的1.4倍。 三星：2023年10月，三星推出其HBM3E产品——“Shinebolt”，单引脚最大I/O速率高达9.8Gbit/s，同时提供1.2TB/s的高带宽。根据Wccftech消息，8层HBM3E已于2024年4月量产，容量高达36GB的12层HBM3E计划于24Q2实现量产。在ISSCC 2024上，三星公布了其HBM4的研究成果，最高带宽达2TB/s，并通过16层堆叠实现48GB容量，计划于2025年推出。 我们认为，以英伟达为代表的AI芯片厂商正加快开发周期，作为AI芯片最强辅助的HBM也在加速迭代，推动HBM产业链持续配套升级的同时带来新需求。 ?投资建议 建议关注HBM产业链相关标的：1）封测环节：通富微电（先进封装）、长电科技（先进封装）等；2）设备环节：拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、华卓精科（拟上市，键合设备）、芯源微（临时键合与解键合）等；3）材料环节：华海诚科（环氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）等。 ?风险提示 行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。 华金电子孙远峰团队：孙远峰/王海维/王臣复/宋鹏/吴家欢 分析师编号：S0910522120001 关注最新电子动态，前瞻行业投资趋势 欢迎点击上方“远峰电子”订阅 ①关注公众号，点击菜单“芯时代”获取《电子-走进“芯”时代系列深度报告》 点击菜单“5G电子”获取《电子-5G电子*产业链系列深度报告》 点击菜单“更多深度”获取更多电子团队行业和公司深度报告 ②关注公众号，回复引号内关键字直接获取单篇深度报告 芯时代系列关键字索引：“全产业链”、“模拟IC”、“射频芯片”、“射频PA”、“存储器”、“功率半导体”、“材料”、“设备”、“大硅片”、“3D封装”、“IC载板”、“智能处理器”、“封测”、“化合物”、“制造”、“后摩尔时代”、“GPU”、“IGBT“、”eID” 5G电子系列关键字索引：“LCP”、“5G换机”、“天线滤波器”、“天线射频前端”、“增量分析”、“射频芯片“、“射频PA” 其他关键字索引：“消费电子”、“PCB”、“FPC”、“智能音箱”、“智能电表”、“汽车电子”、“AOI设备”、“OLED”、“安防”、“苹果创新”、“全面屏”、“无线充电”、“快速充电”、“生物识别”、“光学3D”、“LED应用”、“Mini LED”、“毫米波雷达”、“摄像头” 公司深度关键字索引：“韦尔股份”、“中环股份”、“北方华创”、“中微公司”、“卓胜微”、“扬杰科技”、“斯达半导”、“华润微”、“力芯微”、“信维通信”、“中芯国际”、“汇顶科技”、“欧菲光”、“深南电路”、”沪硅产业“、“恒玄科技”、“芯海科技”、“芯朋微”、“寒武纪”、“艾为电子”、“芯原股份”、“东山精密”、“景旺电子”、“工业富联”、“太极实业”、“洲明科技”、“华微电子”、“深天马A”、“长盈精密”、“精测电子”、“中航光电” 行业和公司更多研究结果，请长按图片关注“远峰电子”公众号 注：文中报告节选自华金证券研究所已公开发布研究报告，具体报告内容及相关风险提示等详见完整版报告。 分析师：孙远峰、王海维 分析师执业编号：S0910522120001、S0910523020005 证券研究报告：《英伟达“Rubin”确认搭载HBM4，HBM加速迭代升级》 报告发布日期：2024年6月3日 团队简介： 孙远峰：华金证券总裁助理&研究所所长&电子行业首席分析师，哈尔滨工业大学工学学士，清华大学工学博士，近3年电子实业工作经验；2018年新财富上榜分析师（第3名），2017年新财富入围/水晶球上榜分析师，2016年新财富上榜分析师（第5名），2013~2015年新财富上榜分析师团队核心成员；多次获得保险资管IAMAC、水晶球、金牛奖等奖项最佳分析师；2019年开始未参加任何个人评比，其骨干团队专注于创新&创业型研究所的一线具体创收&创誉工作，以“产业资源赋能深度研究”为导向，构建研究&销售合伙人队伍，积累了健全的成熟团队自驱机制和年轻团队培养机制，充分获得市场验证；2023年带领崭新团队获得《证券时报》评选的中国证券业最具特色研究君鼎奖和2023年Wind第11届金牌分析师进步最快研究机构奖；清华校友总会电子工程系分会副秘书长，清华大学上海校友会电子信息专委会委员 王海维：电子行业联席首席分析师，华东师范大学硕士，电子&金融复合背景，主要覆盖半导体板块，善于个股深度研究，2018年新财富上榜分析师（第3名）核心成员，先后任职于安信证券/华西证券研究所，2023年2月入职华金证券研究所 王臣复：电子行业高级分析师，北京航空航天大学工学学士和管理学硕士，曾就职于欧菲光集团投资部、融通资本、平安基金、华西证券资产管理总部、华西证券等，2023年2月入职华金证券研究所 宋鹏：电子行业助理分析师，莫纳什大学硕士，曾就职于头豹研究院TMT组，2023年3月入职华金证券研究所 吴家欢：电子行业助理分析师，吉林大学学士，博科尼大学硕士，电子&管理复合背景，2023年11月入职华金证券研究所
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