中长期年复合增长60%的市场要不要关注下?_公众号研报

（以下内容从开源证券《中长期年复合增长60%的市场要不要关注下?》研报附件原文摘录）
　　本周OpenAI 首席执行官计划在本周的韩国之行中与 SK 海力士集团董事长 Chey Tae-won 会面。这周 Sam Altman已与几家潜在大型投资者进行了讨论，包括总部位于阿布扎比的G42和日本软银集团。早在去年10月，Open AI已与G42（一家位于阿布扎比的投资公司）展开洽谈，双方谈判涉及筹集80亿至100亿美元资金。G42公司在半导体领域的其他潜在合作伙伴有英特尔、台积电和三星电子等。无事不登三宝殿，已经很明确了，OpenAI打算亲自下场做芯片了。但为什么奥特曼要独独率先去拜访海力士？因为海力士家有AI及云服务器厂商们一片难求的HBM。昨晚，SK海力士正好发布了2023年业绩。破除繁文细节，我精炼出一些要点以飨读者。 1）2023年海力士的最大亮点就两个：HBM3实现5倍以上增长，DDR5实现了4倍增长； 2）HBM中长期年需求增长复合增速为60%； 3）预计PC和手机在连续两年负增长之后，在2024年实现正增长； 3）AIPC对DRAM需求较普通PC用量增加一倍；AI手机内存将至少增加额外4GB。 5）DRAM和DDR2023年Q4价格上涨超预期，预计2024年还将继续上涨。因为需求增长15%-20%，但垄断供给的几大龙头厂商控制产能增长不超过10%； 6）产能方面，海力士将逐渐减少高波动的普通DRAM产品，而把产能切换至高成长、低波动、长生命周期的HBM产品线； 7）HBM芯片不仅仅是AI公司需要，现在一些云服务厂商也在采购，甚至连人工智能芯片设计公司也在采购（为啥？因为要把人工智能芯片要和HBM封装到一起）。 8）为什么人工智能一定要HBM？因为HBM可以将信号skew优化到70皮秒以下，同时还可以散热降低。 9）HBM之所以能实现高速率+高散热效率，核心工艺环节是抛弃了TC-NCF（热压不导电薄膜）采用MR-MUF，可以在室温低压（10N）下实现回流焊和成型同时完成； 10）MR-MUF分三步：a)用金属成型材料做成微柱把存储芯片堆叠起来；b）同时融化金属微柱把这些堆叠的芯片与芯片之间以及芯片与电路板之间焊接起来；c)在堆叠的芯片与芯片之间、芯片与载板之间填充填料，隔热和成型同时完成； 11）HBM关键技术就两个：a)芯片的翘曲控制；b）内部填充材料

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