中信证券-新材料行业第三代半导体系列一：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道-230306

《中信证券-新材料行业第三代半导体系列一：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道-230306（33页）.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《中信证券-新材料行业第三代半导体系列一：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道-230306（33页）.pdf（33页精品完整版）》请在悟空智库报告文库上搜索。

　　SiC器件性能优势显著，下游应用环节广阔，在高功率应用上替代硅基产品具有强确定性，预计未来几年行业将保持高增速。当前时间点，国内龙头企业不断扩张产能，抢占市场份额，有望打破海外垄断，投资价值凸现。建议关注衬底、外延环节具有技术优势且持续获得下游订单的龙头企业。
　　▍第三代半导体适用于高压、高频、高温、高功率领域。第三代半导体材料具有更宽的禁带、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，在高压、高频、高温、高功率等领域具有更强的适用性。2021年GaN全球渗透率约0.2%，SiC渗透率近2%。SiC商用更加成熟，在高功率应用中优势地位凸显，在光伏新能源、轨道交通、智能电网、新能源汽车及充电桩等领域均具有广泛应用。
　　▍SiC产业链材料环节至关重要，衬底技术密集，外延承上启下。SiC产业链包含单晶生长、衬底制备、外延生长、芯片制造、器件制造、模块封装和终端应用等环节。在材料端，衬底制备难度大，需解决生产速率慢、缺陷控制不易、产品良率低等问题，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节；外延生长是承上启下的关键一环，外延可以大幅优化衬底形貌，有效减弱晶体生长与加工中引入的缺陷所造成的不利影响，进而显著提升SiC器件的性能与可靠性。
　　▍海外占据SiC市场主流，国内龙头快速追赶。当前美欧日占据全球SiC产业主要市场，其中美国一家便占有全球70%-80%的SiC产量，但行业尚处于发展早期，国内企业有望在快速成长中做大做强，挑战海外巨头垄断地位。衬底方面，2021年半绝缘型SiC厂商天岳先进市占率30%，2018年导电型SiC厂商天科合达市占率1.7%，两家扩产规划持续推进。外延方面，国内龙头公司东莞天域、瀚天天成近年亦在快速扩张产能，有望大幅提升市占率。
　　▍多领域驱动SiC需求，同质外延片2025年国内市场规模有望超百亿。我们测算：（1）新能源车方面，电机驱动系统、车载充电系统、电源转换系统构成SiC最大市场，我们预计2025年SiC需求118万片（对应6英寸，下同）；（2）充电桩方面，高压充电桩解决充电速度+里程焦虑问题，我们预计2025年SiC需求33万片；（3）光伏方面，SiC大幅改善光伏逆变器性能，我们预计2025年SiC需求16万片。综上，预计2025年中国导电型碳化硅需求量将达202万片，对应未来三年CAGR为65.53%，对应导电型SiC衬底市场需求约100亿元，对应SiC同质外延片市场需求约191亿元。
　　▍风险因素：下游需求放量不及预期；技术渗透率提升速度不及预期；产能扩张速度不及预期；其他技术创新对SiC的影响。
　　▍投资策略：SiC器件性能优势显著，下游应用环节广阔，在高功率应用上替代硅基产品具有强确定性，预计未来几年行业将保持高增速。在当前时间点，国内龙头企业不断扩张产能，抢占市场份额，有望打破海外垄断，投资价值凸现。建议关注衬底环节具有技术优势且持续获得下游订单的天科合达、天岳先进、东尼电子、南砂晶圆，以及在外延环节持续扩张产能的龙头公司东莞天域、瀚天天成。