海通证券-通信行业碳化硅专题之技术革命：浅析有望重塑行业的未来技术-230305

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　　衬底环节目前新技术的核心均在于提高产能。在衬底制备环节，由于新兴技术液相法制备的衬底具备缺陷少、品质高等优势，多家国内外厂商均在进行液相路径制备技术的研发。在衬底加工环节，冷切割技术可以有效降低材料损耗，同一晶体可切出的晶圆数量增加了50%以上。衬底扩径方面，Wolfspeed位于纽约州的Mohawk Valley工厂将用于制造8寸碳化硅产品，若将尺寸由6英寸提高至8英寸，SiC的单片面积将增大77.8%，可利用面积大大提高。
　　器件环节新设计未来有望提升效率与性能。沟槽式设计相比平面式设计，在尺寸、损耗等方面均更具优势。据罗姆2020年对其第4代SiCMOSFET的声明，公司将导通损耗降低了40%，从而实现了等效的40%的芯片尺寸缩减；并通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50%。同时，虽然SiCIGBT目前并未得到广泛应用，但未来在PET等中高压电子电力领域，SiCIGBT也有望开启产业化进程。
　　我们认为，碳化硅行业正处于高速发展中，未来潜在的新技术突破有望成为行业格局变化、供需节奏转变的关键节点。
　　投资建议：关注中瓷电子等。
　　风险提示：产能扩张不及预期，行业景气度不及预期风险；技术研发风险。