国金证券-东微半导-688261-高压MOS龙头，TGBT开启新成长曲线-221218

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　　投资逻辑
　　高压MOSFET龙头，深度受益新能源快速发展。公司深耕高性能功率器件领域，产品主攻工业和新能源汽车相关等中大功率的应用。短期来看，我们看好新能源车、充电桩、光伏及储能逆变等下游的旺盛需求；中长期来看，公司凭借差异化设计、丰富的料号和出色的产品性能有望在和国内同行的竞争中保持领先优势，在国产替代进程中实现市占率的提升。
　　高压超级结、中低压屏蔽栅MOSFET性能优异，国产替代市场空间广阔。
　　高压超级结MOSFET主要下游应用为直流充电桩、OBC、光伏储能逆变器、服务器电源等，中低压屏蔽栅MOSFET主要下游应用为电动工具、逆变器、UPS电源、消费电子充电器等。根据芯谋研究，2021年MOSFET国产化率为30.5%，预计随着国产替代的加速，至2026年MOSFET国产化率将达64.5%。1H22公司高压超级结MOSFET营收为3.64亿元，占比78.05%。我们预测2022~2024年，公司高压超级结MOSFET营收为8.85、11.38和14.11亿元，同比+55.57%、+28.68%、+23.95%。
　　技术创新丰富产品线，IGBT开启新的成长曲线。公司创新设计的650V三栅TGBT性能已达到国际领先的英飞凌IGBT 7代水平，第二代TGBT产业化进展顺利。2021年公司TGBT产品已送测至比亚迪、汇川等工控和汽车领域客户，批量出货至新明海、欧亚玛等光伏客户。我们测算，IGBT目前的国产化率小于20%，中国IGBT市场规模将在2025年达到458亿元，2020~2025年CAGR为21%。1H22公司TGBT业务实现营收1700万元，占比3.67%。我们预计2022~2024年，公司TGBT业务将迅速扩张，营收分别为0.5、1.5和3亿元，分别同比+780.28%、+200.00%和+100.00%。
　　 IPO情况：新股发行16.84百万股，募集资金净额20.07亿元，对应发行价130.00元/股。资金拟投入超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化、新结构功率器件研发及产业化、研发中心建设以及科技和发展储备资金项目。
　　盈利预测与估值：
　　预测公司2022~2024年净利润分别为2.90、4.07和5.35亿元，EPS分别为4.31、6.04、7.94元，对应PE为56.01、39.91、30.38倍。首次覆盖给予公司2023年46xPE，“买入”评级，目标价278元。
　　风险提示：
　　产品结构单一的风险、供应链管理的风险、新产品研发推广不及预期的风险、限售股解禁的风险。