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申万宏源-注册制新股纵览:微导纳米,国内光伏及半导体领域薄膜沉积设备领先供应商-221208

上传日期:2022-12-08 20:08:29 / 研报作者:林瑾彭文玉 / 分享者:1007877
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  AHP得分——剔除流动性溢价因素后,微导纳米2.76分,位于总分的43.7%分位。考虑流动性溢价因素后,我们测算微导纳米AHP得分为3.04分,位于科创体系AHP模型总分的48.4%分位,位于上游偏下水平。剔除流动性溢价因素后,我们测算微导纳米AHP得分为2.76分,位于科创体系AHP模型总分43.7%分位,位于中游偏上水平。假设以65%入围率计,中性预期情形下,微导纳米网下A、B、C三类配售对象的配售比例分别是:0.0473%、0.0471%、0.0293%。
  国内主要的光伏镀膜设备企业之一,产品已在TOPCon高效电池生产线开展应用。公司主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售,已开发出适用于光伏、半导体等应用领域的多款薄膜沉积设备。在光伏领域,公司光伏薄膜沉积设备的技术指标与国内领先企业具有可比性,部分指标数据占有优势,同时在国际竞争中亦能处于较高水平。公司ALD量产设备打破制约ALD技术应用于光伏领域的产能限制,成为行业主流镀膜方案之一。公司获得包括阿特斯、隆基股份、爱旭股份、晶科能源等多家重要光伏客户订单,并在通威太阳能、无锡尚德等N型TOPCon高效电池生产线上开展应用,成为国内主要的光伏镀膜设备企业之一。
  半导体领域解决“卡脖子”难题,获得国内知名企业订单。在半导体领域,ALD设备基本由境外厂商垄断,而高介电常数(High-k)栅氧薄膜工艺是半导体先进制程中难度较大的工艺之一。公司不仅是行业内极少数的新进入者和国产厂商代表之一,也是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司,设备表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平。公司先后获得多家国内知名半导体公司的商业订单,与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作,同时积极开展在半导体其他细分领域以及柔性电子领域中的应用。在国产替代背景下,国内半导体ALD设备企业具有广阔的发展空间。
  ALD技术优势提供发展空间,公司持续构筑和强化技术壁垒。与传统工艺相比,ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力,为公司的后续发展提供了广阔市场空间。公司建立了跨专业、多层次的人才梯队,设立多个科研平台,不断助力下游应用领域关键产品和技术的攻关与突破。目前,公司已形成原子层沉积反应器设计技术等多项核心技术,持续构筑和强化技术壁垒,并在此基础上继续深化ALD技术在下一代光伏电池、集成电路、先进存储等方面的技术储备,为客户提供更丰富的高端薄膜沉积产品。
  业绩体量较小,营收复合增速高于可比均值,毛利率领先可比,研发支出占比逐年上升。公司2020-2021年营收、归母净利润低于可比均值,2019-2021年营收复合增速为高于可比均值,但2021年归母净利润较2019年有所下降。从毛利率水平来看,公司2019-2021年毛利率分别为53.98%、51.90%、45.77%,逐年下降但领先可比,而研发支出占营收比重逐年上升。
  微导纳米需警惕技术迭代及新产品开发不足、经营业绩波动甚至出现亏损、主要客户集中度较高、行业周期波动和产业政策变化、毛利率下降、存货跌价等风险。
  

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