申万宏源-电子行业点评：支持DDR5 CPU发布在即，重点关注澜起科技与聚辰股份-221102

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　　本期投资提示：
　　DDR技术标准持续迭代，每世代产品生命周期约为5年，目前处于渗透率提升的前夕。
　　在DDR产品生命周期方面，每代标准替换周期约为4~6年，需要提前2~3年进行研发，并且每代标准下分为多个子代，平均12~18个月子代进行一次升级。支持DDR5的CPU发布是渗透率提升的关键。AMD将于11月发布Genoa第四代EPYC服务器CPU；Intel官网指引新一代Sapphire Rapids已达到发布资格，有望提前发布。
　　DDR4及DDR5内存接口芯片按功能可分为两类。一是寄存缓冲器（RCD），用来缓冲来自内存控制器的地址、命令、控制信号；二是数据缓冲器（DB），用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。RCD与DB组成套片，可实现对地址、命令、控制信号和数据信号的全缓冲。内存模组配套芯片是内存模组上负责串行检测（SPD）、电源管理（PMIC）、温度传感（TS）的配套芯片，服务器端与PC端均有应用。根据2020年7月JEDEC发布的DDR5标准，DDR5内存模组上除了内存颗粒及可能需要的内存接口芯片外，还需要三种配套芯片，分别是SPD、PMIC和TS。并与DDR4相比，DDR5将原本位于主板上的PMIC芯片移动至内存模组上。
　　内存接口芯片需求=服务器出货量×每台服务器CPU用量×每块CPU所需内存条数量×（每条内存条所需DB和RCD数量+每条内存条内存配套芯片数量）
　　价格。1）根据IDC数据，未来5年服务器出货量复合增速6%。2）超过85%的服务器为2路服务器，预计未来小幅提升的趋势。3）服务器中内存比特数的需求是不断提升，在内存密度无法持续提升的前提下，内存条数量不断的增长，未来5年内存条数量复合增速为5%。4）DDR5升级带来DB芯片及内存模组配套芯片（SPD+PMIC+TS）的增量需求。LRDIMM配置由1颗RCD+9颗DB提升为1颗RCD和10颗DB。RDIMM和LRDIMM的配套芯片采用1颗SPD+2颗TS+1颗PMIC的标准，这对于澜起是增量产品（DDR4世代公司没有产品参与）。PC/NB也需要1颗SPD+1颗PMIC，在DDR5的中后期会配套RCD，这是除服务器外的增量。5）根据我们的模型预测，渗透率早期DDR5的RCD价格有望达到2倍的增长，即使后续逐步降价，也将高于DDR4的价格。
　　竞争格局：内存接口芯片三分天下，配套芯片竞争格局存在差异。目前全球仅三家厂商从事内存接口芯片业务，分别为澜起、Rambus以及IDT（IDT于2019年被日本瑞萨电子收购后战略重心调整）。2016年IDT、澜起科技、Rambus的市占率分别为67%、29%和4%，2021年澜起的市占率接近0%，Rambus市占率提升至约20%。SPD和TS芯片主要由澜起科技和IDT供应，PMIC竞争激烈，参与方为为澜起科技、瑞萨电子、三星电子、德州仪器、芯源。
　　核心标的：澜起科技、聚辰股份。
　　风险：下游服务器需求不及预期风险；DDR5渗透率增长不及预期风险；相关公司新产品研发失败风险。