民生证券-兆易创新-603986-长鑫存储进展超预期，拓展新的成长空间-190923

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　　一、事件概述
　　近期，据合肥产投集团、《安徽日报》，日前，长鑫存储动态随机存取存储芯片（DRAM）项目投产；经客户验证，长鑫存储10纳米级第一代8Gb DDR4 DRAM产品性能达标，客户对验证结果表示满意。预计今年底，首批芯片将会送到客户手中。
　　二、分析与判断
　　合肥长鑫超预期提前投产
　　此前市场预期合肥长鑫于Q4才能实现量产，但9月20日，长鑫12寸存储内存芯片自主制造项目宣布投产，首次亮相产品是与国际主流DRAM产品同步的第一代8Gb DDR4，产品已通过国内外大客户验证，今年底正式交付。
　　长鑫将成为中国存储代工主力
　　长鑫12寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元，共分三期进行，一期设计产能12万片/月，三期满产后产能可达到36万片/月。DRAM占存储器市场份额的56%，1000亿美金市场，中国是全球最大市场，但95%份额被三星、海力士、美光占据，长鑫DRAM项目投产标志着我国拥有战略性元器件DRAM的自主生产能力。
　　长鑫为兆易发展提供重要助力
　　合肥长鑫由合肥产投与兆易创新共同出资组建，兆易董事长朱一明亦是合肥长鑫的董事长兼首席执行官，长鑫DRAM产品的投产将和兆易flash产品形成双剑合璧，从25亿美金的Nor进入1000亿美金的DRAM市场。
　　三、投资建议
　　公司是全球领先的存储器芯片及MCU供应商，受益半导体自主可控趋势，同时是国家存储芯片战略平台之一。由于NORFlash供不应求、公司切入国际大客户、芯片国产替代加速，考虑收购上海思立微的影响，我们上修公司业绩，预计19/20/21年EPS分别为2.20/3.34/4.21元，对应PE分别为74X/49X/39X。参考SW半导体行业PE估值为179倍，维持“推荐”评级。
　　四、风险提示：
　　1、晶圆等原材料价格波动；2、存储芯片降价；3、DRAM产能爬坡不及预期