万联证券-兆易创新-603986-跟踪报告：下游需求回暖驱动，Q3业绩超预期-191106

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　　事件:日前兆易创新公布2019年三季报，公司在报告期内实现营收22.0亿元，同比增长28.0%；实现归母净利润4.5亿元，同比增长22.4%。就Q3单季来看，实现营收10.0亿元，同/环比增长63.0%/34.3%；实现归母净利润2.6亿元，同/环比增长98.2%/77.4%。
　　投资要点:
　　业绩逐季改善，IOT等下游需求持续增长。从季度数据来看，公司在Q1/Q2/Q3单季度的营收增速分别为-15.7%/32.0%/63.0%，而净利润增速分别为-55.6%/1.4%/98.2%，Q3业绩延续向好趋势，主要仍是受益于下游需求转向景气，NOR和MCU销售持续超预期。值得注意的是，IOT市场需求的快速增长十分关键，可穿戴设备和智能家居等产品放量迹象明显，从而拉动公司相关营收快速增长。
　　产品结构优化驱动Q3毛利率改善，Q4仍有向好空间。公司前三季度毛利率为39.1%，而Q3单季毛利率则达到40.6%，同/环比分别提升1.2/3.1个百分点，毛利率大幅改善的原因在于新产品导入带来的产品结构优化。当前时点来看，随着公司55nm NOR于Q4开始逐步量产，其相较65nm NOR的成本优势有望驱动毛利率继续下行。同时，考虑到公司256Mb以上的高容量NOR未也有巨大放量空间，预计公司未来业务结构将持续优化，支撑利润进一步走强。
　　不断加码研发，存储、MCU、传感器产品全面布局。前三季度研发费用达到2.4亿元，同比增长73.0%，研发领域主要聚焦三方面：1）在存储方面持续进行技术迭代，针对物联网、可穿戴、工控和汽车电子推出新产品。值得注意的是，当前公司38nm SLC制程的NANDFlash已稳定量产，而24nm制程产品推出在即，产品优势再获强化；2）在MCU方面持续打造超市化MCU产品体系，推出多款新产品，并在8月领先于业内推出基于RISC-V的32位MCU，产品生态构建完善；3）在传感器领域通过并购思立微，进入光学指纹传感器领域，预计Q3、Q4贡献的营收与利润较为可观。
　　DRAM推进超预期，拟定增加码自主研发。公司于2017年与合肥产投开展长鑫存储12英寸DRAM研发项目，2019年10月公司又拟定增募资43.2亿用于DRAM芯片自主研发,重点研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，计划开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。目前，合肥长鑫已经正式投产，预计2020年开始销售。根据Trend Force数据，2020年DRAM市场将达到近千亿规模，而目前其96%的份额被三星（46%）、SK海力士（29%）、美光（21%）所寡头垄断，因此公司和长鑫的合作以及自主研发DRAM项目意义重大，将成为存储领域国产替代的关键布局，同时也将极大拓展公司的长线成长空间。
　　盈利预测与投资建议：公司兼具存储、MCU、传感器（屏下指纹识别）三大领域的技术优势与业务实力，同时DRAM项目打开巨大中长期空间。考虑到公司Q3的超预期业绩表现，我们上调其2019-2021年EPS至1.88/2.61/3.70元，对应当前PE分别为92.3/66.5/46.9倍，维持“增持”评级。
　　风险因素：产品研发进展不及预期；中美贸易摩擦升级；产品价格波动风险