中银国际-半导体设备行业之中微公司跟踪：在3DNAND客户的介质刻蚀中份额升至30%以上，已实现 2/3 的介质刻蚀工艺产业化-200108

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　　根据中国国际招标网，中微半导体于1月2日中标长江存储9台介质刻蚀设备，公司自2017年以来累计中标38台介质刻蚀设备。
　　中微再次中标9台长江存储刻蚀设备。根据中国国际招标网，1月2日长江存储公布32台刻蚀设备的招投标候选人名单，其中，中微半导体中标2台通孔（via）刻蚀、7台非晶碳和氧化硅刻蚀，Lam Research中标20台硅基、金属、介质刻蚀设备，北京屹唐半导体中标2台Pad Dry Etch设备，TEL中标1台超深接触孔刻蚀设备。由此推算，中微拿到了长江存储本次介质刻蚀设备中标数量50%的份额。
　　中微在长江存储的介质刻蚀设备采购中的份额持续上升。根据中国国际招标网，2019年10月至今，中微半导体累计中标长江存储刻蚀设备12台，占长江存储介质设备采购量31%的份额，仅次于第一大供应商LamResearch 54%的份额；而2017年8月-2018年4月、2018年6月-2019年7月的两个时间段内，中微半导体分别中标5台、21台刻蚀设备，所占份额依次是10%、30%。2017年以来中微累计中标38台，占长江存储介质刻蚀设备所有采购量的24%。若按自然年份计算，2017-2020年中微半导体历年介质刻蚀的中标份额依次是12%、34%、19%、50%。
　　估计中微可覆盖3DNAND中2/3的介质刻蚀工艺。中微中标的介质刻蚀设备已覆盖顶层通孔、沟道通孔、接触孔、硬膜/掩模刻蚀等工艺，尚未覆盖ONO栅极介质刻蚀、侧墙刻蚀、台阶刻蚀等工艺。在长江存储公布的介质刻蚀设备采购中，沟道通孔占28%，掩模/硬膜刻蚀占21%，接触孔占比16%，边缘刻蚀占13%，台阶刻蚀占8%，侧墙刻蚀占5%，控制栅极介质刻蚀占4%、切口刻蚀、回刻、顶层通孔各占2%。根据中国国际招标网，目前中微中标的刻蚀设备订单所实现的工艺，占3DNAND介质刻蚀工艺的比例约为2/3，而中微半导体尚未实现设备订单的介质刻蚀工艺，占长江存储总采购量的1/3。
　　中微来自本土存储厂的刻蚀设备订单有望在2020-2021年爆发。根据DRAMeXchange，长江存储2020、2021年估计扩产3万片/月、5万片/月，对应的投资额120-150亿元、200-250亿元，按刻蚀设备在制程设备中约20%的比例推算，未来2年长江存储刻蚀设备采购额预计达到20亿元、40亿元，再依据目前中微可覆盖2/3介质刻蚀工艺，以及3DNAND中的介质刻蚀设备占刻蚀设备总采购量的70%推算，预测中微公司未来2年来自长江存储的刻蚀设备订单可达9-10亿元、18-20亿元，年均翻倍增长。而且，中微Primo nanova可用于多种导体刻蚀工艺，包括硅基刻蚀工艺中的STI刻蚀、多晶硅栅极刻蚀，以及介质刻蚀工艺中的侧墙刻蚀、掩模刻蚀、回刻等，将显著提升公司在介质刻蚀和硅基刻蚀中的潜在份额。
　　投资建议：中微公司不仅在介质刻蚀领域内取得本体存储厂商的第二大介质刻蚀设备供应商地位，且公司已入股量测设备供应商睿励（上海）科学仪器，持股国内CVD供应商沈阳拓荆，成为除光刻光、离子注入机之外的关键工艺设备平台，继续重点关注中微公司（688012）。
　　风险提示：国内半导体下游客户扩产低于预期；关键部件进口受贸易战影响。