中银国际-电子行业周点评：存储基地二期启动，中芯国际科创板过会，半导体产业持续推进-200622

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6月19日下中银国际午，科创板上市委公布第47次审议会议结果，同意中芯国际首发上市申请。

6月20日上午，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高电子行业周点评新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。

6月19日下午，上交所科创板上市委2020年第47次审议会议同意中芯国际集成电存储基地二期启动路制造有限公司发行上市。

中芯国际从中芯国际科创板过会6月1日申报获得受理，到6月19日上会通过，历时19天。

作为全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，中芯国际主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路半导体产业持续推进晶圆代工及配套服务。

根据招股说明书披露，本次科创板上市计划募资200亿元，其中，80亿中银国际元计划投入12英寸芯片SN1项目，40亿元用于先进及成熟工艺研发项目储备资金，80亿元用于补充流动资金。

12英寸芯片SN1项目的载体为中芯南方，该项目规划月产能3.5万片，已建设月产能6000片，是中国大陆第一条FinFET工艺生产线，也是中芯电子行业周点评国际14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。

该项目的建设对提高公司先进制程集成电路晶圆代工能力，提升公司在晶圆代工领域的技术存储基地二期启动和市场领先优势具有重要意义。

国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共中芯国际科创板过会同投资建设，总投资240亿美元，计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂。

其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；半导体产业持续推进二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

项目一期于2016年底开工建设，已经实现32层、64层存储芯片产品的稳定量产，并于今年4月13日宣布实现128层Q中银国际LC3D闪存（X2-6070）的研发，在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。

从目前国际主流厂商的NAND存储技术看，三星于2019年6月推出第六代V-NAND（128层256Gb3DTLCNAND），并于2019年11月实现第六代128层512GbTLC3DNAND的量产；SK海力士于2019年6月推出首款128层TLC4DNAND，11月向主要客户交付128层1Tb4DNAND的工程样品，并计划在2020年进入电子行业周点评投产阶段，同时开发下一代176层4DNAND技术；美光于2019年10月初宣布第一批基于美光的RG架构、采用128层工艺的第四代3DNAND存储芯片流片出样，并将于2020年Q4财季开始出货128层RG架构的3DNAND闪存产品。

投资建议：从产业链环节看，晶圆代工是集成电路产业的核心环节之一，14nm及以下先进工艺制程承载平台的建设，对于提升中芯国际在晶圆代工领域的技术和规模具有重要意义，同时也有存储基地二期启动助于推动产业链各环节的国产化。

而市场规模看，存储作为集成电路的主中芯国际科创板过会要细分市场之一，市场规模较大，国家存储器基地项目二期的启动将有助于国内存储产业的发展。

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风险提示：半导体行业景气度下行，产业国产化推中银国际进不及预期。