东方证券-电子行业深度报告：下游新兴领域需求旺盛，化合物半导体前景可期-200630

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核心观点突破Si的瓶颈，化合物半导体优势显著：Si是应用最广泛的半导体材料东方证券，但无法突破高温、高功率、高频等瓶颈。

二元系化合物半导体材料GaAs/GaN/SiC具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率等特性，能弥补Si材料的不足，在射频、功率器件、光电子及国电子行业深度报告防军工等应用领域优势显著。

受益射频和光电子需求旺盛，GaAs有望保持持续高增长：射频端，5G手机需要更多的PA，有望从4G手机的7个增长到下游新兴领域需求旺盛10个，而且5G高频时代，相比SiCMOSPA，GaAsPA在输出功率、工作频率等方面的性能更优，渗透率将会持续提升。

此外，手机WIFIPA和路由器WIFIPA对GaAs需求也有化合物半导体前景可期望保持快速增长。

光电子端，3D深度相机VCSEL激光器打开了GaAs新的增长领域，17年苹果率先在iPhoneX前置结构东方证券光摄像头上采用，并在今年iPadPro的后置ToF摄像头上采用，其他厂商有望跟进。

根据中国产业信息的报告，全球GaAs产值有望从2018年的89亿美元，增长到2023年的1电子行业深度报告43亿美元，19-23年CAGR为10%。

GaN：5G射频关键的材料，射频/电下游新兴领域需求旺盛力电子领域优势显著。

GaN器件适合高频、高功化合物半导体前景可期率、低压应用领域，广泛应用于5G基站、雷达等微波射频领域、以及快充领域。

全球主要国家都已开启5G商用，5G宏基站建设正处于放量阶东方证券段，以中国为例，国内5G宏基站建设预计于2023年左右达到高峰，年新增5G宏基站115万个以上，此外GaN的军用雷达升级需求也在快速放量。

根据Qorvo的预测，全球GaN射频器件市场电子行业深度报告规模将从2018年的4.3亿美元增长到2022年的19.1亿美元，CAGR约45%。

19年，OPPO首推GaN充电器，随后小米、华为等厂商先后加入，根据Yole，如果苹果等厂商跟进，全球手机快充用GaN功率半导体市场规下游新兴领域需求旺盛模在2024年有望超过7.5亿美元，算上在其他消费电子、数据中心等潜在市场的应用，市场空间有望更大。

SiC：高压功率半导体关键材料，化合物半导体前景可期受益于新能源汽车快速增长。

SiC在600V的功率器件具有优势，相比Si基器件，SiC功率半导体具备轻量化、高效率、耐高温等特性东方证券，而且可以有效降低新能源汽车系统成本。

新能源电子行业深度报告车及充电桩快速放量，SiC充分受益。

根据Yole的预测，全球下游新兴领域需求旺盛电动汽车和充电桩SiC功率器件市场规模将从2018年的0.65亿美元增长至2023年的4.4亿美元，CAGR为46%。

除此之外，轨道交通、供电化合物半导体前景可期、电机驱动等领域也将保持较快的增速。

总体来看，全球东方证券SiC功率器件市场规模将从2018年的3.7亿美元增长至2023年的近14亿美元，CAGR超过30%。

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风险提示下游新兴领域需求旺盛市场需求不及预期；核心技术研发不及预期。