欢迎访问悟空智库——专业行业公司研究报告文档大数据平台!

首创证券-电子行业简评报告:华润微发布SiC MOSFET,第三代半导体加速渗透-211219

上传日期:2021-12-20 16:34:27 / 研报作者:何立中 / 分享者:1005690
研报附件
首创证券-电子行业简评报告:华润微发布SiC MOSFET,第三代半导体加速渗透-211219.pdf
大小:718K
立即下载 在线阅读

首创证券-电子行业简评报告:华润微发布SiC MOSFET,第三代半导体加速渗透-211219

首创证券-电子行业简评报告:华润微发布SiC MOSFET,第三代半导体加速渗透-211219
文本预览:

《首创证券-电子行业简评报告:华润微发布SiC MOSFET,第三代半导体加速渗透-211219(10页).pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《首创证券-电子行业简评报告:华润微发布SiC MOSFET,第三代半导体加速渗透-211219(10页).pdf(10页精品完整版)》请在悟空智库报告文库上搜索。

华润微召开SiC新品发布会,发布了SiCMOSFET和SiCJBSGen2。

公司于2020年首次发布SiCJBS产品。

截至目前,公司在SiC领域已布局3款产品,分别为650V/1200VSiCJBSGen1(通用)、650V/1200VSiCJBSGen2(低Vf)及1200V(40-280mΩ)SiCMOSFETGen1。

SiC器件效率更高,能够节约电动车3%-8%的电池容量。

与Si基IGBT相比,SiCMOSFET器件的体积更小、耐高温高压性能更优、开关损耗更低。

根据罗姆半导体的数据,通过使用SiC能够减少约3%-8%的电力损耗,在保持行驶距离的同时,减少电池用量。

新能源汽车将带动SiC市场快速增长。

根据Yole报告,2025年SiC器件市场规模将达25.62亿美元,年复合增速约30%。

电动汽车是SiC器件最大的下游应用市场,2019年电动汽车用SiC器件市场规模为2.25亿美元,到2025年有望增加至15.53亿美元,年复合增速达38%。

现阶段SiC衬底制备成本高,高端旗舰车型上有望率先启用。

由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大,大尺寸、高品质SiC衬底生产成本依旧较高,制约了SiC器件的大规模应用。

目前SiC功率器件的成本约为Si基IGBT的3-5倍,未来伴随SiC产能的逐渐释放,成本有望下降至Si基IGBT的2倍左右。

对于售价较高的高端旗舰车型,有望率先启用SiC。

电子板块行情弱于大盘12月13日至12月17日,上证指数下跌0.93%,中信电子板块下跌2.51%,跑输大盘1.58个百分点。

年初至今,上证指数上涨4.59%,中信电子板块上涨15.81%,跑赢大盘11.22个百分点。

12月13日至12月17日,费城半导体指数下跌3.92%。

电子各细分行业涨幅12月13日至12月17日,电子细分行业中只有显示零组板块上涨,上涨了0.07%,其余板块均在下跌。

其中,分立器件、半导体设备、半导体、集成电路和安防板块下跌最多,分别下跌了6.27%、6.06%、4.15%、3.79%和2.43%。

个股涨跌幅:A股12月13日至12月17日,电子行业涨幅前五的公司分别为奥拓电子、凯盛科技、铜峰电子、鸿合科技和德赛电池,分别上涨35.89%、22.71%、17.80%、17.69%和16.39%;跌幅前五的公司分别为久之洋、嘉元科技、*ST中新、国民技术和芯碁微装,分别下跌15.97%、12.95%、12.59%、12.50%和12.14%。

投资建议推荐关注三安光电、斯达半导、宏微科技、华润微、士兰微等。

风险提示SiC产能扩张不及预期、下游需求不及预期。

展开>> 收起<<

#免责声明#

本站页面所示及下载的一切研究报告、文档和内容信息皆为本站用户上传分享,仅限用于个人学习、收藏和研究目的;不得将上述内容用于商业或者非法用途,否则,一切后果请用户自负。如若内容侵犯了您的权利,请参见底部免责申明联系我们及时删除处理。