华金证券-半导体材料行业快报：KrF、ArF光刻胶将为兵家必争之地，中高端光刻胶国产替代任重道远-230718

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（以下内容从华金证券《半导体材料行业快报：KrF、ArF光刻胶将为兵家必争之地，中高端光刻胶国产替代任重道远》研报附件原文摘录）
　　事件点评 　　集微网消息， 美国时间 7 月 14 日晚 9 点 30 分左右， 光刻胶供应商陶氏化学 （ DowsChemical） 位于路易斯安那州的普拉克明工厂发生爆炸。 　　光刻胶品种众多， 依据工艺条件选取相应品种。 光刻胶能够利用光化学反应，经过曝光、 显影等光刻工艺， 将所需微细图形从掩模版转移到待加工基片上。 半导体光刻胶使用主要取决于制程，通常越先进制程相应需要使用越短曝光波长光刻胶， 以达到特征尺寸微小化。 G/I 线、 KrF 光刻胶均为成熟制程用光刻胶， G/I线光刻胶主要用于高压汞灯光源光刻工艺， 对应工艺制程为 350nm 及以上； KrF光刻胶主要用于 KrF 激光光源光刻工艺， 对应工艺制程 250-150nm； ArF 光刻胶主要用于 DUV 光刻工艺， 可用于 130-14nm 芯片工艺制程， 其中干法主要用于 130-65nm 工艺， 浸没式主要用于 65-14nm 工艺。 　　高端光刻胶需求增加， 国内外厂商将逐鹿 KrF、 ArF 光刻胶。 摩尔定律趋近极限， 半导体制造制程进步使得所对应光刻加工特征尺寸（ CD） 不断缩小， 配套光刻胶也逐渐由 G 线(436nm)→I 线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)方向转移， 从而满足 IC 制造更高集成度要求。 制造 8 寸、 12 寸晶圆需使用 KrF、 ArF 光刻胶， 全球 8 寸/12 寸晶圆厂扩产将带动 KrF、 ArF 光刻胶需求。 根据 SEMI 数据， 2026 年全球 300 mm（ 12 寸） 晶圆厂产能有望提高至 960 万片/月； 全球半导体制造商预计将从 2021 年到 2025 年将 200mm晶圆厂产能提高 20%， 新增 13 条 200mm 生产线， 产能有望超 700 万片/月，故未来 KrF、ArF 光刻胶将成为国内外厂商主要竞争市场。根据 TECHCET 数据，2025 年， KrF/ArF 光刻胶市场规模分别为 9.07/10.72 亿美元。 　　美日厂商垄断光刻胶市场， 市场高度集中， 国内厂商多集中于中低端市场。 根据 Research And Markets 数据， 2021 年日本合成橡胶（ JSR） 、 东京应化（ TOK） 、 杜邦、 信越化学、 住友化学等五大厂商垄断近 85%市场份额， 且日本厂商占比超过 70%。 目前国内厂商主要以紫外宽谱、 g 线、 i 线等产品为主，国内厂商在该等产品领域已经占据一定市场份额， 而在 KrF、 ArF/ ArFi、 EUV 等中高端光刻胶领域， 仍主要依赖于进口， 国内企业大多还在积极研发、 验证中，尚未大规模量产出货。 其中， 彤程新材 KrF 产品在 Poly、 AA、 Metal、 TM/TV、Thick、 Implant、 ContactHole 等工艺市占率持续攀升； 华懋科技 ArF 光刻胶26 款， 涵盖 65nm、 55nm、 40nm、 28nm 及以下关键层工艺以及 LOGIC、 3DNAND、 DRAM 等应用领域， KrF 光刻胶 30 款， 涵盖 55nm、 40nm、 28nm 及以下关键层工艺以及集成电路、 分立器件、 传感器等应用领域； 南大光电 ArF光刻胶及配套材料项目所需光刻车间和生产线已建成，验证工作正在多家下游主要客户稳步推进； 晶瑞电材 ArF 高端光刻胶研发工作在有序开展中， KrF 高端光刻胶部分品种已量产； 上海新阳 KrF 光刻胶已经在超 10 家客户端提供样品进行测试验证， 并取得部分样品订单， 通过测试验证， ArF 浸没式光刻胶研发进展顺利， 实验室样品目前取得数据指标与对标产品大部分接近。 　　投资建议： 建议关注国内研发能力强， 光刻胶产品通过验证且已进入半导体制造厂商供应链龙头公司。 　　风险提示： 宏观经济形势变化风险致使产业链受到冲击； 光刻胶厂商研发进度不及预期； 光刻胶国产替代进程不及预期。