民生证券-电子行业周报：美光财报超预期，存储周期拐点已近-230703

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（以下内容从民生证券《电子行业周报：美光财报超预期，存储周期拐点已近》研报附件原文摘录）
　　美光 Q3 业绩优于预期，预计 FY4Q23 情况继续向好。 2023 年 6 月 28 日，美光发布财报，公司于FY3Q23（财年）实现营收37.52亿美金，同比下降56.58%，环比增长 1.60%，毛利率-16.07%，相较 FY2Q23 的-31.44%已有提升 15.37pct，也高于此前预期的最大值-18.50%；净利润为-15.65 亿美金，亏损明显收窄。展望 FY4Q23，公司指引预期营收 37-42 亿美金，综合毛利率范围为-8%到-13%，相比于 FY3Q23 营业情况预将持续好转。 　　从产品结构看， DRAM Bit 出货量环比增长 10%，价格环比下降 10%； NANDBit 出货量环比增长 30%以上，价格环比下降 15%左右。 虽然产品价格还有下降，但相较第二财季（DRAM 和 NAND 价格分别环比下降 20%、 25%）已有明显收缩。 　　美光等海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现。 美光资本开支于 23 年Q1 开始出现明显下降， 2023 年全年资本开支计划为 70 亿美元，同比将下降40%以上，并且预计到 24 年 WFE 支出仍将继续同比下降。从产量看， DRAM与 NAND 产量相比于 Q2（减产 25%）将进一步减产 30%，同时减产将持续到24 年。 此前海力士也发布 23 年 Q1 财报，资本开支在 22 年 Q2 后保持下降趋势，且库存也望迎来拐点。 　　AI 算力需求拉动存储技术升级、容量攀升，成为美光出货量增长重要推动力。 美光财报披露， AI 服务器对 DRAM 容量需求是普通服务器的六到八倍，对NAND 容量需求是普通服务器的三倍。受益 AI 服务器对 HBM 高带宽显存需求强劲，公司也正密切与客户合作，并开始提供行业领先的 HBM3 样品，该产品预计将于 2024 年初开始量产， 后续有望快速放量。此外，美光也持续推动 DDR5升级，公司 DDR5 出货量 Q3（23 财年）同比 Q2 增加超过 100%， 预计 2024Q1末 DDR5 出货量赶超 DDR4。 NAND 方面，目前美光也已推出 232 层 3D NAND，在 AI 服务器存储需求拉动下，产品出货量有望增加， 助力美光营收提升。 　　美光“被禁” 加速国产存储替代。 美光于业绩会上对 5 月 21 日中国网信办“禁售令” 作出回应，“禁售令” 对美光业务的影响仍具不确定性，部分中国关键基础设施运营商或政府代表已和包括移动设备制造商在内的美光客户，就未来美光产品的使用问题取得联系。美光表示预计约有 50%在华业务将受到影响。此次美光“被禁”，我们认为标志国产存储厂商在部分细分领域已有一定替代空间，将实际加速国产存储替代进程，利好直面美光竞争的存储细分环节。 　　投资建议： 美光财报显示存储周期底部拐点渐行渐近，近期诸多原厂提价动向也表明价格进入底部博弈状态。 长期看， AI 驱动存储技术升级、容量提升，尤其 HBM 需求快速增长。 重点关注： 1） 存储芯片： 东芯股份、恒烁股份、 普冉股份、 北京君正、兆易创新等； 2） 存储模组： 江波龙、德明利等； 3）存储封测：深科技等。 　　风险提示： 下游市场复苏不及预期； 存储原厂减产不及预期