头豹研究院-2023年中国IGBT行业词条报告-230609

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（以下内容从头豹研究院《2023年中国IGBT行业词条报告》研报附件原文摘录）
　　1.IGBT行业定义 　　IGBT=MOSFET+BJT。MOSFET就是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流，按照制作工艺可以区分为为增强型、耗尽型、P沟道、N沟道共4种类型，在实际应用中，以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT双极结型晶体管基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子，并分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子电流量，与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此其作用类似于电流控制开关。 　　2.IGBT行业分类 　　按照封装形式划分，IGBT产品可以分为IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块即多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，特点是外部电路简单，工作可靠，更适合高压和大电流连接；IPM模块即智能功率模块，集成栅极驱动电路+各保护电路的IGBT模块，增加外围电路，防止过高升温及高压冲击损害IGBT，其可靠性较高，使用简单，适合中小功率逆变器；IGBT单管封装模块较小，是体现IGBT制造商水平的核心技术，结构简单。 　　3.IGBT行业特征 　　功率半导体器件可根据是否可控及驱动方式进行分类，其中IGBT属于复合全控型电压驱动式功率半导体器件。目前IGBT行业主要有以下特征：市场集中度高、国内外技术差距较大、国产替代空间广阔及技术壁垒高。