民生证券-东微半导-688261-2022年年报点评：业绩表现亮眼，新品持续放量-230420

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（以下内容从民生证券《2022年年报点评：业绩表现亮眼，新品持续放量》研报附件原文摘录）
　　东微半导(688261) 　　事件：4月19日，东微半导发布2022年年报，2022全年公司实现营收11.16亿元，同比增长42.74%；实现归母净利润2.84亿元，同比增长93.57%。其中4Q22单季度公司实现营收3.26亿元，同比增长46.38%，环比增长0.76%；实现归母净利润0.84亿元，同比增长55.77%，环比增长1.29%。 　　聚焦新能源等高景气赛道，业绩表现亮眼。公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道，充分受益于功率半导体结构性需求分化红利，2022年实现营收11.16亿元，同比增长42.74%；实现归母净利润2.84亿元，同比增长93.57%。公司2022年毛利率为33.96%，同比增加5.24pct。分产品看，2022年公司高压超级结MOSFET产品实现营业收入9.14亿元，同比增长60.77%；中低压屏蔽栅MOSFET产品实现营业收入1.56亿元；Tri-gate IGBT产品实现营业收入0.45亿元，同比增长685.21%；超级硅MOSFET产品实现营业收入204.29万元。 　　高压超级结MOSFET业务持续增长，多款TGBT产品批量供货。公司Si基器件业务进展顺利。MOSFET方面，2022年公司持续扩大高压超级结MOSFET在光伏逆变、储能应用、UPS领域的业务，成功替换IGBT并明显提升系统效率，出货呈迅速增加态势。其中，公司重点拓展新能源汽车及直流充电桩领域业务，高压超级结MOSFET及中低压SGT MOSFET已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子等公司。TGBT方面，2022年公司持续丰富TGBT产品规格，多款产品实现批量供货。其中E系列高速TGBT产品批量应用于60kHz电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代；L系列TGBT实现极低的Vcesat，对国外超低Vcesat IGBT实现替代。此外，TGBT产品在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段；公司成功开发基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650V HybridFET，出货量迅速增加。 　　Si2C MOSFET开始小批量供货，市场前景广阔。报告期内，公司开发出SiC二极管及具有自主知识产权的Si2C MOSFET，SiC器件首次实现营业收入。其中Si2C MOSFET已通过客户的验证并开始小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器、高效率电源等，可替代采用传统技术路线的SiC MOSFET，市场前景广阔。 　　投资建议：考虑到当前公司产品品类持续优化，新产品研发进展顺利，核心产品销量不断攀升，我们上调公司盈利预测，预计2023-2025年公司归母净利润为3.98/5.15/6.58亿元，同比增长39.8%/29.5%/27.8%，当前市值对应PE为36/28/22倍，维持“推荐”评级。 　　风险提示：新产品营收增长不及预期的风险；行业竞争加剧的风险；下游需求波动的风险。