国信证券-东微半导-688261-高性能功率器件的技术引领者-221228

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（以下内容从国信证券《高性能功率器件的技术引领者》研报附件原文摘录）
　　东微半导(688261) 　　核心观点 　　东微半导是国内高性能功率器件的头部设计公司，18-21年公司扣非归母净利润年均复合增速达95.1%。公司专注于半导体器件结构技术创新，拥有多项半导体器件核心专利，以高压超级结MOSFET为代表的产品打破了大功率直流充电桩等领域国外厂商的长期垄断。公司18-21年进入高速成长期，营业收入年均复合增速为72.3%；扣非归母净利润年均复合增速为95.1%。超级结MOSFET国产化率仍低，汽车、新能源与5G等应用带来功率器件增量需求。超级结MOSFET是突破“硅极限”的高端功率器件，目前国产化率仅18%，有较大的存量替代空间。此外，超级结MOSFET的耐压特性及导通性能主要适用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩及各类大功率电源中，因此在汽车、 新能源与5G带来的增量场景驱动下， 25年全球超级结MOSFET市场有望由22年10.5亿美元增至12亿美元。 　　公司产品性能比肩国际一流厂商，研发成果转换效率高。公司器件设计能力强，以公司超级结GreenMOS系列产品为例，通过自主器件设计和工艺优化，产品性能已达国际一流水平，是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一。21年公司研发人员占比达44%，人均营收贡献1043万元，远超行业平均水平，研发成果转换效率高。 　　公司1H22 汽车与工业级应用占比已超 70%，客户覆盖各领域行业龙头。截至 1H22，公司直流充电桩收入(YoY+60%)占比超 17%，光伏逆变器收入(YoY+300%)占比约10%，车载充电机收入(YoY+1350%)占比超 14%， 各类工业及通信电源收入(YoY+58%)占比约21%； 客户覆盖比亚迪、 客户A、 麦格米特、昱能科技与宁德时代等各领域龙头厂商。在多领域需求驱动下，公司3Q22库存周转天数约为66.4天，明显低于行业平均水平(111.6天)。 　　公司器件产品不断革新，TGBT 与碳化硅等新产品打开多维增长空间。预计22-25年全球IGBT市场将12.1%复合增速增长至136亿美元，碳化硅器件市场将以42%复合增速增长至43亿美元， 行业处于加速渗透期。 公司自主设计的新产品IGBT（TGBT）与超级硅已获客户认可并批量应用，碳化硅相关产品已推出，未来有望随行业发展加速渗透，成为公司新的增长点。 　　盈利预测与估值： 我们看好公司器件设计与工艺实现的技术能力， 预计22-24年归母净利润有望实现 2.79/3.98/5.36 亿元，对应增速 89.8%/42.6%/34.9%。我们预计公司合理估值为306.7-338.1元，维持买入评级。 　　风险提示：新能源发电及汽车需求不及预期，新产品拓展不及预期等。