头豹研究院-2022年中国新能源汽车产业系列研究报告-221227

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（以下内容从头豹研究院《2022年中国新能源汽车产业系列研究报告》研报附件原文摘录）
　　在汽车高压化、器件高度集成化的趋势下，SiC MOSFET在新能源车的渗透度持续提高，与此同时，中国作为新能源车最大的市场，加上国家政策推动第三代半导体发展，为SiC MOSFET发展带来显著的动能 　　国内衬底与外延厂商产能扩充进展顺利，为国产替代发展提供关键支撑；中游器件主要IDM厂商与Fabless厂商皆取得不错进展，且“上车”进度顺利 　　经过梳理分析后，头豹洞察出三大行业趋势：1.8英寸SiC衬底逐步落地，但规模商业化仍需时间；2.IDM是SiCMOSFET行业主流模式；3.短期平面技术是关键切入点，未来竞争的关键在于沟槽技术水平