中银国际-中微公司-688012-钨填充CVD设备获阶段性进展，薄膜刻蚀与沉积新产品将进入收获期-220331

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公司发布2021年报，实现营收31.08亿元，同比增长37%；净利润10.11亿元，同比增长105%；扣非净利润3.24亿元，同比增长1291%；毛利率43.36%，较上年扩大5.69个百分点。

支撑评级的要点ICP刻蚀交付腔体数量超预期。

21年产品付运腔体数量为491腔，同比增长66.4%。

其中，CCP刻蚀机付运298腔，同比增长40%；ICP刻蚀机付运134腔，同比增长235%，取得突破性进展。

而对于MOCVD设备销售，公司去年新发布的MiniLEDMOCVD设备PrismoUniMax年底订单超100腔，到今年3月底订单累计已超180腔。

刻蚀设备高速成长，去年总订单翻倍增长。

公司21年实现营收同比增长37%，增速较前两年大幅提升。

其中刻蚀设备收入20.04亿元，占比64%，同比增长55%；MOCVD设备收入5.03亿元，占比36%，同比增长1.53%。

公司21年新签订单金额同比增长90.5%达41.3亿元，保障2022年收入延续高增长趋势。

产品结构优化，盈利能力大幅提升。

去年专用设备的毛利率增加4.88个百分点至42.20%，其中MOCVD设备的毛利率大幅提升18.65个百分点至33.77%；刻蚀设备仍保持44.32%的较高水平。

同时，盈利能力较高的刻蚀收入比重，较去年提升7个百分点至64%，公司的收入结构明显改善。

CCP等离子体刻蚀进入先进的5纳米芯片生产线和下一代的试生产线上。

研制成功5纳米的刻蚀设备并完成在先进逻辑芯片生产厂家的评估，并实现销售。

完成3纳米刻蚀机Alpha原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估。

公司ICP刻蚀设备已经逐步趋于成熟。

PrimonanovaICP刻蚀产品已经在超过15家客户的生产线上进行100多个ICP刻蚀工艺的验证。

2021年3月，公司研发并推出的具有高输出率特点的双反应台ICP刻蚀设备PrimoTwin-Star刻蚀设备，已经在国内领先的客户生产线上完成认证，并收到更多国内客户的订单。

把握科技前沿，IC工艺设备产品平台从薄膜图形化工具辐射到薄膜沉积和外延生长设备。

具体包括薄膜刻蚀：CCP、ICP、ALE，薄膜沉积：LPCVD、EPI、ALD；第三代半导体：硅基氮化镓及碳化硅功率器件专用的外延设备。

（1）钨填充LPCVD设备取得阶段性进展。

应用于金属互联的CVD钨制程设备能力已能够满足客户工艺验证的需求，产品正与关键客户对接验证。

基于金属钨LPCVD设备，公司正进一步开发CVD和ALD设备。

（2）SiGeEpi设备完成设计方案，进入样机制造阶段。

2021年组建EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。

目前公司EPI设备已进入样机设计、制造和调试阶段，以满足客户先进制程中SiGe外延生长工艺的电性和可靠性需求。

（3）积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场。

开发GaN功率器件量产应用的MOCVD设备，目前已交付国内外领先客户进行生产验证。

启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备开发，将进一步丰富公司的产品线。

盈利预测及评级鉴于公司刻蚀设备尤其是ICP刻蚀21年订单大幅增长，且MOCVD设备订单也超预期增长，我们上调22-24年净利润至11.26/12.90/15.17亿元，维持“买入”评级。

评级面临的主要风险晶圆厂扩建不及预期，零部件紧缺导致设备交付延迟，国际地缘政治摩擦的不确定。