国盛证券-扬杰科技-300373-深耕功率半导体，受益于高景气及替代机遇-220312

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深耕功率半导体，IDM&设计模式并行。

公司致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的产业发展。

公司主营产品为各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS、大功率模块、小信号二三极管、功率二极管、整流桥等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域，在国内外均有产品技术和销售覆盖。

公司采用垂直整合（IDM）一体化、Fabless并行的经营模式；集半导体单晶硅片制造、功率半导体芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体。

全球功率市场稳健增长，二极管基本盘稳固。

据Omdia估测2021全球功率市场整体收入反弹至460亿美元，主要系汽车、消费类电子等抑制性需求释放带动市场整体迎来复苏；展望未来下游需求延续，预计2020~2024CAGR约5%。

据IHSmarkit数据，预计2019~2024全球二极管市场规模将从43.26亿美元增至46.62亿美元，CAGR1.51%；中国二极管市场将从14.39亿美元增至15.54亿美元，CAGR1.55%。

公司拥有从芯片制造到封装测试全套生产工艺，为国内少数生产、制造全系列二极管、整流桥、分立器件芯片的规模企业之一。

MOSFET、IGBT供不应求，黄金替代机遇，带来公司重要增量。

功率MOSFET为现代电源开关器件的优先选择，适用高频低功率场景。

据Yole数据，2020~2026全球硅基MOSFET市场将从75亿美元增至94亿美元。

其中，汽车领域增长耀眼，自动驾驶相关需求将由14亿美元增至23亿美元，汽车电动化相关需求将1亿美元增至7亿美元。

IGBT在功率半导体的份额及市场规模均将提升。

据Yole数据，2020~2026全球IGBT市场将从54亿美元增至84亿美元，CAGR7.5%；2018年IGBT占全球功率器件市场约27.5%，到2024年占比将增至28.1%。

中国功率半导体市场虽已占全球50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT器件中90%仍依赖进口，国产替代空间广阔。

产品不断突破，IDM模式具有交付优势。

公司8寸1200V沟槽IGBT芯片及模块开始风险量产，IGBT高频系列模块、IGBT变频器系列模块等已获批量订单；公司持续优化TrenchMOSFET和SGTMOS系列性能，扩充品类。

公司采用IDM模式，具有全产业链的成本优化优势及完善的技术、工艺优势。

公司自有产能在8寸晶圆产能紧张背景下，有望强化交付稳定性。

我们预计公司2021/2022/2023营收分别为43.97/57.89/73.53亿元，同比+68.0%/31.7%/27.0%；归母净利为7.58/9.39/11.88亿元，同比+100.4%/23.9%/26.5%；对应PE46.6/37.6/29.7x。

首次覆盖，给予“买入”评级。

风险提示：产品开发不及预期风险，产能扩充不及预期风险。