天风证券-半导体行业研究周报：存储技术持续升级迭代，不改长期向上趋势-210815

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本周行情概览：本周半导体行情进入短期震荡。

本周申万半导体行业指数下跌6.63%，同期创业板指数下跌4.18%，上证综指上涨1.68%，深证综指下跌0.19%，中小板指下跌0.44%，万得全A上涨1.29%。

半导体行业指数显著跑输主要指数。

存储价格短期波动，但原厂维持谨慎乐观态度。

主要原厂商对DRAM需求持谨慎乐观态度。

三星预计2021年全年DRAMbit增长在20%左右，下半年将开始推动向15nmDRAM产能转换，并实现基于EUV工艺的14nmDRAM量产；SK海力士已实现1znm全面量产，Q3将开始推动1znm技术的16GbDRAM产能扩张，基于EUV工艺的1αnmDRAM产品已经量产，即将开始供货；美光表示下半年将带来DDR5产品，同时认为目前终端需求并未得到完全的满足，供给紧张将持续到明年；南亚科技对整体市场需求持谨慎乐观态度，预计整体第三季的内存价格仍将小幅上扬。

目前供应商NANDFlash库存稳健，但供给端供应缺口仍在。

Trendforce集邦咨询预测，第三季NANDFlash整体合约价将小幅上涨，季增5~10%。

其中，受Intel新平台IceLake及原厂SSDcontrollerIC产能紧缺影响，clientSSDQ3合约价预计上涨3~8%，seSSDQ3预计涨幅达15%；低容量eMMCQ2已明显上涨，Q3上调空间有限，预计上涨0~5%；NANDFlashwafer受供应商提高毛利驱动，预估季涨幅将达8~13%。

存储技术持续革新，主流厂商推动技术升级。

三星将继续扩大EUV技术在DRAM中的应用，下半年逐步推进15nmDRAM产能迁移，并继续扩大EUV技术在DRAM生产中的应用；美光发布首款搭载176层3DTLCNAND闪存的PCIe4.0SSD，实现低功耗、高速度和高密度的存储解决方案；SK海力士开始量产EUV1α10nmDRAM，降低功耗并增加生产效率，同时海力士计划明年年初将EUV技术应用于下一代DDR5生产。

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